[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法

权利要求书

1.一种掩膜板坯料，其在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述掩膜板坯料的特征在于，

所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，

所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，

所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。

2.如权利要求1所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层由相同的构成元素形成。

3.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，由一层所述低透光层与一层所述高透光层形成一组层叠结构，所述相移膜具有两组以上的所述层叠结构。

4.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成。

5.如权利要求3所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成。

6.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层由对ArF曝光光的折射率n不足2.5，且消光系数k为1.0以上的材料形成，

所述高透光层由对ArF曝光光的折射率n为2.5以上，且消光系数k不足1.0的材料形成。

7.如权利要求3所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层由对ArF曝光光的折射率n不足2.5，且消光系数k为1.0以上的材料形成，

所述高透光层由对ArF曝光光的折射率n为2.5以上，且消光系数k不足1.0的材料形成。

8.如权利要求4所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层由对ArF曝光光的折射率n不足2.5，且消光系数k为1.0以上的材料形成，

所述高透光层由对ArF曝光光的折射率n为2.5以上，且消光系数k不足1.0的材料形成。

9.如权利要求5所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层由对ArF曝光光的折射率n不足2.5，且消光系数k为1.0以上的材料形成，

所述高透光层由对ArF曝光光的折射率n为2.5以上，且消光系数k不足1.0的材料形成。

10.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

11.如权利要求3所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

12.如权利要求4所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

13.如权利要求5所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

14.如权利要求6所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

15.如权利要求7所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

16.如权利要求8所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

17.如权利要求9所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述低透光层及所述高透光层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。