[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480004453.X | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104919080B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22D21/00;C22C28/00;C22F1/16;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶，其以大于100wtppm且10000wtppm以下含有Cu，剩余部分由In构成，相对密度为99％以上，并且，平均结晶粒径为10μm～500μm，氧浓度为20wtppm以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，平均结晶粒径为10μm～300μm。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，还以100wtppm以下含有选自S、Cd、Zn、Se、Mg、Ca、Sn的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其具有圆筒型的形状。
5.一种溅射靶的制造方法，其为权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其使以大于100wtppm且10000wtppm以下含有Cu并且剩余部分由In构成的溅射靶原材料接合于支承基材的表面而形成后，以10％～80％的范围内的厚度减少率对所述溅射靶原材料实施该溅射靶原材料的厚度方向的塑性加工。
6.根据权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其中，所述溅射靶原材料还以合计100wtppm以下含有选自S、Cd、Zn、Se、Mg、Ca、Sn的至少一种。
7.根据权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其中，将所述支承基材作为圆筒形状的背衬管，制造圆筒型溅射靶。
8.根据权利要求5～7的任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，通过使用了熔融金属的铸造而形成所述溅射靶原材料。
9.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，在铸造时进行熔融金属的搅拌、摇动。
10.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，在氮或Ar气氛下进行铸造。
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