[发明专利]用于侧发射的具有成形的生长衬底的LED

权利要求书

1.一种发光结构，包括：

LED管芯，包括：

具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底（42）；以及

外延生长在生长衬底的第一表面之上的半导体层，包括发射光的有源层（30），有源层具有面向生长衬底的第三表面，其中生长衬底的第二表面在其中形成至少一个光学特征（44），所述至少一个光学特征将从有源层的第三表面发射的至少光（46）的部分重定向成通过生长衬底的侧壁离开LED管芯；

其中LED管芯是具有覆盖LED管芯的底表面的显著部分的反射阳极和阴极电极（12,14）的倒装芯片，其中阳极和阴极电极被配置成在没有线的情况下直接耦合到支撑结构（20）的电极（16,18），使得生长衬底的侧壁发射由有源层生成的光的大部分，

其中形成在生长衬底中的光学特征背离支撑结构，光学特征具有第四表面，所述第四表面背离生长衬底并且至少部分地被反射层覆盖，使得反射层减少经由光学特征进入LED管芯的光的量。

2.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征覆盖有反射层，所述反射层将从有源层的第三表面发射的光的部分反射成通过生长衬底的侧壁离开LED管芯。

3.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征具有成角表面，所述成角表面朝向生长衬底的侧壁重定向光。

4.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征包括形成在生长衬底中的凹形的、基本上锥体形状。

5.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征包括形成在生长衬底中的凹形圆形形状。

6.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征包括朝向生长衬底的侧壁折射光的凸形圆形形状。

7.权利要求1的发光结构，其中生长衬底包括蓝宝石。

8.权利要求1的发光结构，其中生长衬底大于200微米厚。

9.权利要求1的发光结构，其中生长衬底大于500微米厚。

10.权利要求1的发光结构，还包括：

在其中安装LED管芯的反射杯；以及

杯中的覆盖LED管芯的顶部和侧面的波长转换材料。

11.权利要求10的发光结构，其中波长转换材料包括灌注在粘合剂材料中的磷光体颗粒，并且其中从生长衬底的侧壁发射的至少光的部分激发不叠覆LED管芯的磷光体颗粒。

12.权利要求1的发光结构，还包括覆盖LED管芯的顶部和侧面的磷光体材料，其中LED管芯发射蓝光并且磷光体材料发射与蓝光组合的磷光体光。

13.权利要求1的发光结构，其中至少一个光学特征将从有源层的第三表面发射的光的大部分重定向成通过生长衬底的侧壁离开LED管芯。