[发明专利]具有用于防止逆向工程的特征的半导体器件有效
| 申请号： | 201480004534.X | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104969345B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 威廉·埃利·撒克;罗伯特·弗朗西斯·滕采尔;迈克尔·克林顿·霍克 | 申请（专利权）人： | 威瑞斯蒂公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 用于 防止 逆向 工程 特征 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子器件，包括：
基底层；
第一层，所述第一层至少部分地位于所述基底层上；
第二层，所述第二层至少部分地位于所述第一层上；
第一金属层，所述第一金属层至少部分地位于所述第二层上，其中，所述电子器件的一个或多个信号输出形成在所述第一金属层中；以及
第二金属层，所述第二金属层至少部分地位于所述第一金属层上，其中，所述第二金属层是浮置的，并且一个或多个栅极连接被连接到所述第二金属层，其中，将所述第二金属层暴露于离子束导致至少一个栅极故障。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，将所述第二金属层暴露于离子束导致至少一个栅极击穿，并且在浮置栅极器件的栅极、源极和漏极之间产生至少一个短路。
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