[发明专利]在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池

权利要求书

1.在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，该方法包括：

(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；

(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；

(c)从第一表面(2)的至少部分移除硼掺杂源(6)；

(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；

(e)将基板(1)退火，以通过所述未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度以及使磷扩散进入基板(1)的第二表面(4)，以得到磷掺杂层(12)，其中硼吸收与磷扩散在相同处理步骤中发生。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使磷扩散包括POCl₃程序。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，磷掺杂层(12)具有高于1E+20/cm³的表面浓度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括：

移除硅氧化物(10)；

钝化第一表面(2)与第二表面(4)；

提供传导电极(22、23)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积(a)包括通过BBr₃或BCl₃程序以形成硼硅酸盐玻璃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积(a)包括硼硅酸盐玻璃、或固态硼、或无定型硼、或B₂O₃，或它们的混合物的化学气相沉积，或者所述沉积(a)包括硼的旋转涂布。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述移除(c)包括蚀刻所述硼掺杂源。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积(d)包括未掺杂的硅氧化物的化学气相沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硼掺杂区域(8、8a)的波峰浓度低于5E+19/cm³，且所述硼掺杂区域(8、8a)具有大于30ohm/sq的片电阻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火(b)包括将所述基板加热至温度至少为850℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火(e)包括将所述基板加热至温度至少为900℃。

12.一种太阳能电池，其包括通过如前述权利要求中任意一项所述的方法获得的硼掺杂区域。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，包括在所述第一表面上的Ag-Al合金制成的接触点。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，包括在所述第一表面上的Al制成的晶种接触点。