[发明专利]用于石墨烯形成的方法和系统有效
| 申请号： | 201480004713.3 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104919077B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 大卫·A·博伊德;乃-昌·叶 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 白云,郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 石墨 形成 方法 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯结构，包括：
铜基底；和
单一的单层的石墨烯，其被布置于所述铜基底上且具有小于或等于100nm2的测量面积，其中所述单一的单层的石墨烯以高度变化为特征，所述高度变化以纳米来测量，使得所述高度变化与所述测量面积的比小于2.5×10-2每纳米。
2.如权利要求1所述的石墨烯结构，其中所述高度变化与所述测量面积的所述比小于1.25×10-2每纳米。
3.如权利要求2所述的石墨烯结构，其中所述高度变化与所述测量面积的所述比小于1.0×10-2每纳米。
4.如权利要求1所述的石墨烯结构，其中所述单一的单层的石墨烯以小于0.05％的应变变化为特征。
5.如权利要求1所述的石墨烯结构，其中所述铜基底包括单晶铜基底。
6.如权利要求1所述的石墨烯结构，其中所述测量面积与尺寸范围在100μm和300μm之间的晶粒相关。
7.如权利要求5所述的石墨烯结构，其中所述单晶铜基底包括单晶(100)基底。
8.如权利要求5所述的石墨烯结构，其中所述单晶铜基底包括单晶(111)基底。
9.如权利要求1所述的石墨烯结构，其中所述高度变化与所述测量面积的所述比大于0.25×10-2每纳米。
10.如权利要求6所述的石墨烯结构，其中所述测量面积无晶界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加州理工学院，未经加州理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480004713.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
