[发明专利]读取由周期性偏振纳米结构表示的数据的方法有效

专利信息
申请号: 201480004862.X 申请日: 2014-01-13
公开(公告)号: CN104919284B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 马修·唐纳德·基德;尼古拉斯·约翰·韦斯顿;詹姆斯·雷诺兹·亨肖;马库斯·阿德龙;约翰·黛尔迪丝;罗伯特·汤姆森 申请(专利权)人: 瑞尼斯豪公司
主分类号: G01D5/34 分类号: G01D5/34
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 代理人: 谢攀,刘继富
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 读取 周期性 偏振 纳米 结构 表示 数据 方法
【权利要求书】:

1.一种读取由包括至少一个周期性纳米结构的标记表示的数据的方法,所述标记使用所述周期性纳米结构的一个偏振特性表示数据,其中所述至少一个周期性纳米结构包括激光引发的周期性表面结构,其通过用激光照射材料的区域来引发在所述区域上以有规律间距间隔开的多条实质上平行的线来形成,其中所述线的周期取决于所述激光的波长,并且其中所述周期性纳米结构的偏振特性取决于所述线的取向,

并且所述方法包括:

检测从所述周期性纳米结构反射或通过所述周期性纳米结构透射的偏振的电磁辐射;以及

从检测到的所述偏振的电磁辐射中确定由所述标记表示的所述数据,其中:

所述方法进一步包括将偏振的电磁辐射施用到所述周期性纳米结构,和/或

所述检测是使用偏振敏感检测器设备来执行。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述周期性纳米结构具有在10nm与1μm之间的周期。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述周期性纳米结构具有在300nm与900nm之间的周期。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所施用的所述偏振的电磁辐射在大于所述周期性纳米结构的周期的波长处具有最大强度。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,对于从所述周期性纳米结构反射或通过所述周期性纳米结构透射的所述偏振的电磁辐射的检测包括检测表示第一偏振的电磁辐射的第一信号、检测表示第二不同的偏振的电磁辐射的第二信号、并且确定所述第一信号与所述第二信号之间的差。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述偏振敏感检测器设备包括至少一对偏振敏感检测器,并且所述至少一对偏振敏感检测器的第一检测器相较于所述至少一对偏振敏感检测器的第二检测器对不同的偏振具有最高敏感性,每一检测器经配置以提供表示检测到的偏振的电磁辐射的相应输出信号。

7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括,针对所述每一对检测器,确定由所述第一检测器和所述第二检测器获得的所述输出信号之间的差。

8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括a)和b)中的至少一者:

a)将所述偏振的电磁辐射施用到所述周期性纳米结构包括将不同偏振的电磁辐 射按顺序施用到所述周期性纳米结构;

b)所述方法包括使用实质上非偏振敏感检测器设备检测从所述周期性纳米结构反射或透射的偏振的电磁辐射。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,标记包括多个周期性纳米结构,每一周期性纳米结构使用所述周期性纳米结构的偏振特性表示相应数据值,并且所述方法包括从检测到的所述偏振的电磁辐射中确定所述数据值。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述标记是在微芯片、半导体装置、电路板、药物包装、存储器装置、或录制的音乐、图像、视频或文本内容载体、医学植入物或其它医疗装置、飞机部件、艺术品、首饰或其它工艺品中的至少一者上的标记。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述数据表示以下各者中的至少一者:-代码;序号;制造商;制造日期、时间或位置、备案或修改;验证标记。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个标记包括在测量标度装置上的至少一个标记,并且所述方法包括根据从检测到的所述偏振的电磁辐射中确定的所述数据来确定位置。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述至少一个标记包括形成第一系列标度标记的多个标度标记,并且所述测量标度装置进一步包括第二系列标度标记,并且所述方法包括从所述第一系列标度标记和所述第二系列标度标记两者中确定在所述测量标度装置上的位置。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第一系列标度标记和所述第二系列标度标记叠加并且共享共用测量轴。

15.根据权利要求13或14所述的方法,其中,所述第一系列标度标记包括绝对标度标记和增量标度标记中的一者,并且所述第二系列标度标记包括绝对标度标记和增量标度标记中的另一者,并且所述方法包括读取所述第一系列标度标记和所述第二系列标度标记。

16.一种用于读取由包括至少一个周期性纳米结构的标记表示的数据的设备,所述标记使用所述周期性纳米结构的偏振特性表示数据,其中所述至少一个周期性纳米结构包括激光引发的周期性表面结构,其通过用激光照射材料的区域来引发在所述区域上以有规律间距间隔开的多条实质上平行的线来形成,其中所述线的周期取决于所述激光的波长,并且其中所述周期性纳米结构的偏振特性取决于所述线的取向,

并且所述设备包括:

检测器设备,其用于检测从所述周期性纳米结构反射或通过所述周期性纳米结构透射的偏振的电磁辐射;以及

处理器材,其经配置以从检测到的所述偏振的电磁辐射中确定由所述标记表示的所述数据,其中:

所述设备进一步包括电磁辐射源,其经配置以将偏振的电磁辐射施用到所述周期性纳米结构,和/或

所述检测器设备包括偏振敏感检测器设备。

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