[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括：

在半导体层中形成第一沟槽，其中，所述半导体层具有包括第一区域和第二区域的表面，并且所述第一沟槽形成于所述第一区域中；

在形成所述第一沟槽后于所述半导体层的所述表面上生长第一导电类型的基极层的晶体；

在所述基极层的表面上生长第二导电类型的源极层的晶体，使得反映了第一沟槽的构造的反映沟槽形成在所述第一区域上；

在所述源极层的表面上形成掩膜层；

通过从所述掩膜层的表面蚀刻预定厚度，选择性地保留存在于所述半导体层的所述表面的所述第一区域上的所述反映沟槽中的所述掩膜层；

形成穿透存在于所述半导体层的所述表面的所述第二区域上的所述源极层和所述基极层的至少一部分的第二沟槽，使得所述半导体层在所述第二沟槽中露出；以及

在所述第二沟槽中形成绝缘沟槽栅极，

其中，所述半导体层的材料、所述基极层的材料和所述源极层的材料是宽带隙半导体，并且

在形成所述第二沟槽时，通过使用所述掩膜层作为掩膜来形成所述第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过蚀刻存在于所述半导体层的所述表面的所述第一区域上的所述源极层的至少一部分来露出所述基极层；以及

形成接触露出的所述基极层的源极电极。

3.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括：

在半导体层中形成第一沟槽，其中所述半导体层具有包括第一区域和第二区域的表面，并且所述第一沟槽形成在所述第一区域中；

在形成所述第一沟槽后于所述半导体层的所述表面上生长第一导电类型的基极层的晶体；

在所述基极层的表面上生长第二导电类型的源极层的晶体；

形成穿透存在于所述半导体层的所述表面的所述第一区域上的所述源极层和所述基极层的至少一部分的第三沟槽，使得所述半导体层在所述第三沟槽中露出；以及

在所述第三沟槽中形成绝缘沟槽栅极，其中

所述半导体层的材料、所述基极层的材料和所述源极层的材料是宽带隙半导体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

在形成所述第三沟槽时，所述第三沟槽形成为保留存在于所述第三沟槽的侧表面上并沿着深度方向延伸的所述源极层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中

在形成所述第三沟槽时，所述第三沟槽形成为不保留存在于所述第三沟槽的侧表面上并沿着深度方向延伸的所述源极层。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，进一步包括：

通过蚀刻存在于所述半导体层的所述表面的所述第二区域上的所述源极层的至少一部分来露出所述基极层，以及

形成接触露出的所述基极层的源极电极。

7.根据权利要求1或3所述的方法，其中

所述宽带隙半导体是碳化硅。