[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，其为在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜的透明导电性薄膜的制造方法，

其具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，

并且，所述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，

所述透明导电膜的电阻率值为1.3×10^-4～2.8×10^-4Ω·cm，

所述透明导电性薄膜的制造方法具有预溅射工序(a)，该工序(a)为：在实施所述高磁场RF叠加DC溅射成膜法之前，以不导入氧气的方式，在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法，以在RF电源的频率为10～20MHz时RF功率/DC功率的功率比为0.4～1.2的范围进行成膜直至所得到的电阻值达到稳定状态为止，或者，

该工序(a)为：在实施所述高磁场RF叠加DC溅射成膜法之前，以不导入氧气的方式，在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法，以在RF电源的频率大于20MHz且为60MHz以下时RF功率/DC功率的功率比为0.2～0.6的范围进行成膜直至所得到的电阻值达到稳定状态为止。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，自薄膜基材侧夹着底涂层而设置有所述透明导电膜。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述铟系复合氧化物为铟锡复合氧化物，4价金属元素的氧化物为锡氧化物。

4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述工序(A)的高磁场RF叠加DC溅射成膜法在RF电源的频率为10～20MHz时RF功率/DC功率的功率比为0.4～1.2。

5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述工序(A)的高磁场RF叠加DC溅射成膜法在RF电源的频率大于20MHz且为60MHz以下时RF功率/DC功率的功率比为0.2～0.6。

6.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述工序(A)的高磁场RF叠加DC溅射成膜法中，有机高分子薄膜基材的温度为80～180℃。

7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述工序(A)的高磁场RF叠加DC溅射成膜法以不导入氧气的方式进行。

8.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述工序(A)的高磁场RF叠加DC溅射成膜法以氧气量相对于非活性气体量的比率为0.5％以下的方式一边导入氧气一边进行。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，在所述工序(A)之后，实施退火处理工序(B)。

10.根据权利要求9所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，在120℃～180℃的温度下、以5分钟～5小时、在大气中进行所述退火处理工序(B)。