[发明专利]具有读优选单元结构、写驱动器的静态随机存取存储器(SRAM)、相关系统和方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器SRAM，包括：

第一反相器，其包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管包括第一背栅反馈环并具有第一宽度W_PU1，并且所述第一下拉晶体管具有第一宽度W_PD1；

第二反相器，其包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管包括第二背栅反馈环并具有第二宽度W_PU2，并且所述第二下拉晶体管具有基本等于W_PD1的第二宽度W_PD2；

第一传输门晶体管，其与所述第一反相器相关联，所述第一传输门晶体管具有基本等于W_PD1的第一PG宽度W_PG1；

第二传输门晶体管，其与所述第二反相器相关联，所述第二传输门晶体管具有基本等于W_PD2的第二PG宽度W_PG2；以及

写驱动器，所述写驱动器包括两个输出，所述两个输出中的第一输出连接至所述第二下拉晶体管的位线源和背栅，所述两个输出中的第二输出连接至所述第一下拉晶体管的互补位线源和背栅。

2.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，进一步包括写辅助电路系统，其包括控制所述第一传输门晶体管的背栅偏置而非所述第二传输门晶体管的背栅偏置的写驱动器。

3.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，所述SRAM被整合到包括多个SRAM位单元的SRAM阵列中。

4.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，所述SRAM遵循22纳米规模。

5.如权利要求2所述的SRAM，其特征在于，所述第一传输门晶体管进一步包括传输门背栅偏置；以及

所述第一下拉晶体管包括下拉背栅偏置。

6.如权利要求5所述的SRAM，其特征在于，所述写驱动器控制所述传输门背栅偏置和所述下拉背栅偏置。

7.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，所述SRAM被配置成遵从6σ设计准则。

8.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，所述第一传输门晶体管包括第一长度L_PG1，并且所述第二传输门晶体管包括基本等于L_PG1的第二长度L_PG2。

9.如权利要求8所述的SRAM，其特征在于，

所述第一上拉晶体管具有第一长度L_PU1，

所述第二上拉晶体管具有基本等于L_PU1的第二长度L_PU2，

所述第一下拉晶体管具有第一长度L_PD1，

所述第二下拉晶体管具有基本等于L_PD1的第二长度L_PD2，

L_PG1大于L_PU1和L_PD1，以及

L_PG2大于L_PU2和L_PD2。

10.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，所述SRAM集成到半导体管芯中。

11.如权利要求1所述的SRAM，其特征在于，进一步包括从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频光碟播放器和便携式数字视频播放器，其中所述SRAM被集成到所选设备中。