[发明专利]含有具有羟基的芳基磺酸盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物树脂和下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，

式中，Ar表示苯环，R¹各自为苯环上的氢原子的取代基，且表示硝基、氨基、羧基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、包含醚键的有机基团、包含酮键的有机基团、包含酯键的有机基团、或将它们组合而成的基团；m1为0～4的整数，m2和m3各自为1～5的整数，(m1+m2+m3)表示2～6的整数；X⁺表示NH₄⁺、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、季铵离子、锍离子或碘阳离子。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，X⁺为铵离子。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，R¹表示甲基或羧基。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，m1为0，m2和m3各自为1。

5.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，m1为0，m2和m3各自为1。

6.根据权利要求1、2和5中的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

7.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

8.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

9.一种抗蚀剂下层膜，其通过将权利要求1～8的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烧成来获得。

10.一种用于制造半导体的抗蚀剂图案的形成方法，其包括下述工序：将权利要求1～8的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烧成来形成抗蚀剂下层膜。

11.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：通过权利要求1～8的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射与显影来形成抗蚀剂图案的工序，按照所形成的抗蚀剂图案来蚀刻该抗蚀剂下层膜的工序，和按照图案化了的抗蚀剂下层膜来加工半导体基板的工序。

12.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：通过权利要求1～8的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射与显影来形成抗蚀剂图案的工序，按照所形成的抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序，按照图案化了的硬掩模来蚀刻上述抗蚀剂下层膜的工序，和按照图案化了的抗蚀剂下层膜来加工半导体基板的工序。

13.根据权利要求12所述的制造方法，硬掩模是通过无机物的涂布或无机物的蒸镀来形成的。