[发明专利]用于处理结构化基板的安装装置有效
申请号: | 201480005544.5 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN104919584B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | H.蒂芬伯克 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邓雪萌;宣力伟 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结构化基板 安装装置 接纳表面 处理结构 固定构件 软材料层 薄基板 材料层 化基板 接纳 容纳 | ||
本发明涉及一种用于处理具有多个结构(3)的结构化基板(1)的安装装置,其具有用于在接纳表面(5o)上容纳该结构化基板(5)的软材料层(5),其中结构化基板(1)的结构(3)能够至少部分地接纳至该材料层(5)中,该安装装置的特征在于,存在用于将该结构化基板(1)固定于该接纳表面上的固定构件。本发明进一步涉及一种用于具有小于100 µm的厚度d的薄基板的安装装置的相对应的方法以及用途。
技术领域
本发明是涉及一种用于处理结构化基板的安装装置、一种用于处理结构化基板的方法及一种安装装置的用途。
背景技术
安装装置(也称为样本固持器)除其它的外也用于半导体行业中,其用于将以某一其它方式薄化或处理的基板固定于该安装装置上。薄化称为背面研磨且基板在背面研磨之后的目标厚度部分小于100 µm,尤其小于50 µm,优选地小于20 µm。不断持续的小型化构成处理基板的主要技术问题,尤其由于用于此目的的样本固持器具有极其平坦表面使得将结构化基板固定于此等表面上是不可能的或简直极其不可能的。此外,基板的与具有这些结构的前面相对的背面通常必须保持平坦且不应因在前面上结构化而变得波状化和/或拱形化。主要地,在基板的背面的背面薄化中,背面必须保持极平坦。否则,会发生破裂、不均匀背面薄化或对基板的其它损害。
发明内容
因此,本发明的目标是设计一种借助于在背面研磨或其它工艺中且尤其在基板的脱离中使能实现对前述结构化基板的处理而不损害其的安装装置及相对应的方法。
此目标是借助于本发明的特征实现。在本发明的其它特征中给出本发明的有利发展。说明书、权利要求书和/或各附图中所给出的特征中的至少两者的所有组合也落入本发明的范畴内。在给定值范围下,所指示的限制内的值也将视为被公开为边界值,且其将以任何组合的方式被保护。
本发明是基于尤其在处理结构化基板(其结构特别地主要具有大于1 µm,优选地主要大于10 µm,仍更优选地主要大于50 µm,最优选地主要大于100 µm的高度)中固持结构化基板以使得基板的前面的结构完全浸入至具有优选地低粘附性的软材料层中,以使得基板的背面保持平坦且基板在处理后能够容易且简单地再次脱离。
如本发明中所主张的,软材料层定义成特别地能够容纳结构的顺应性材料层。“软”的定义并不一定是指弹性模量的物理参数(其从在胡克定律的意义上描述材料的顺应性),而是指容纳结构的能力。在一个优选实施例中,结构下沉于多孔和/或纤维材料层中。在所有那些其中“软”的定义旨在指胡克定律的意义上的顺应性材料的实施例中,弹性模量小于100 GPa,优选地小于1 GPa,更优选地小于100 MPa,最优选地小于1 MPa,最优选地均小于1 kPa。
如本发明中所主张的,低粘附性材料层定义为其表面具有对其它材料的低粘附性力的材料层,特别地其由纳米技术产生。如本发明中所主张的,在微范围和/或纳米范围中的低粘附性力表面缺乏平坦度,其表面形态促成低粘附性或甚至引起低粘附性。如本发明中所主张的,可构想使用所谓的莲花绽放效应(lotus blossom effect)。
如本发明中所主张的粘附能力尤其指定特定的每m2的固持力,每m2的固持力应如本发明中所主张的尽可能低,以使得目前为止将基板的主要部分固定于接纳表面上由固定区段中的固定构件引起。
若彼此结合的两个固体之间的粘附性待确定,则能够测量产生遍及固体的裂纹所需的能量。在半导体行业中,通常使用所谓的“剃刀片测试”或“Maszara剃刀片测试”。使用此测试是确定两个固体之间的接合能量的一种方法。通常固体彼此焊接在一起。
此时,为了确定将相对于尽可能多的其它材料而具有低粘附性的层的粘附能力,必须使用其它测量方法。最通常使用的测量方法是接触角方法。
接触角方法与杨氏方程(Young's equation)一起使用以便通过使用测试液体得出关于固体的表面能量的结论。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司,未经EV集团E·索尔纳有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480005544.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:模块及其制造方法
- 下一篇:导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造