[发明专利]相移掩膜的制造方法及相移掩膜

说明书

在相移层形成工序中，通过设定气氛气体中的氧化性气体的流量比，从而在透明基板(S)上将相移层(11b、11c、11d)形成为多级。然后，在相移图案的形成工序中，对所述相移层进行湿式蚀刻，以形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域(B1bh、B1bi)。

技术领域

本发明涉及能够形成微细且高精度的曝光图案的相移掩膜的制造方法及相移掩膜。特别涉及在平板显示器的制造中使用的技术。

本申请基于2013年4月17日于日本申请的特愿2013-086982号主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

在半导体领域，为了进行高密度安装，图案的微细化已进行过很长时间。为此，在缩短曝光波长的同时，还研究了曝光方法的改善等各种各样的方法。

为了在光掩膜上也进行图案微细化，从采用复合波长对遮光膜进行图案形成而得到的光掩膜开始，已达到在图案边缘利用光干涉并采用单一波长而能够形成更微细的图案的相移掩膜被使用。在以上所示的半导体用相移掩膜中，如专利文献1所示，使用了采用i线单一波长的边缘增强型相移掩膜，而为了实现进一步的微细化，如专利文献2所示，将曝光波长缩短至ArF单一波长，并且使用了半透射型相移掩膜。

另一方面，在平板显示器领域，为了实现价格低廉化，需要以较高的生产能力来进行生产，关于曝光波长，也是利用g线、h线、i线的复合波长下的曝光来进行图案形成。

最近，即使在上述平板显示器领域，为了形成高清晰的画面，图案分布也被进一步微细化，已达到如专利文献3所示使用边缘增强型相移掩膜，而并非以往一直使用的对遮光膜进行图案化而得到的光掩膜。

平板用的边缘增强型相移掩膜已处于如下状况：成为复合波长区域内的曝光，存在着在除了产生相移效果之外的波长下相移效果变得并不充分的问题，期待能够获得更高效率的相移效果的相移掩膜。

在上述边缘增强型相移掩膜中，除了在对遮光膜进行图案化后形成相移掩膜，进而对相移掩膜进行图案化的专利文献3中所记载的上置型相移掩膜之外，还存在下置型相移掩膜，该下置型相移掩膜是从基板开始依次形成相移膜、蚀刻终止膜、遮光膜并依次进行图案化而成的相移掩膜。但是，在所述下置型相移掩膜中也具有同样的问题，在由相移层形成的半透射膜所构成的单层型相移掩膜中也存在同样的问题。

专利文献1：日本专利公开平08-272071号公报

专利文献2：日本专利公开2006-78953号公报

专利文献3：日本专利公开2011-13283号公报

此外，在作为边缘增强型相移掩膜的图案区域中，优选相移图案从遮光图案中露出的宽幅形状，但是在湿式蚀刻处理中，以规定厚度形成的相移图案会下陷(ダレる)，也就是说，厚度的减少程度与所设定的形状不同，结果是，依赖于相移层厚度的光强度为零的位置与所期望的状态不同，因此，存在如下问题：由于存在图案线宽(宽度尺寸)变粗等作为掩膜的高精细性降低的可能性，故而并不理想。

进而，已处于如下状况：在形成平板的图案时，虽然使用复合波长区域内的曝光，但是由于无法获得充分利用了所有复合波长后的相移效果，因此在形成进一步的微细图案上存在限制，期待着在复合波长区域内的曝光中也充分发挥相移效果而实现微细化的工艺。

伴随着近年来平板显示器的配线图案的微细化，对于在平板显示器的制造中使用的光掩膜而言，对微细的线宽精度的要求也提高了。但是，仅仅通过对针对光掩膜微细化的曝光条件、显影条件等的研究是非常难以应对的，开始寻求用于实现进一步微细化的新技术。

从在曝光中能够应用上述波长范围的复合波长也就是曝光强度这一观点出发，也要求能够同时使用不同波长的光并且能够同时维持高精细性。

发明内容