[发明专利]逆电流防止

权利要求书

1.一种用于电路的装置，包括：

将电池供电电压耦合到电感器的高侧开关，其中所述电感器进一步耦合到跟踪供电电压；

将所述电感器耦合到接地的低侧开关；以及

配置成检测从所述跟踪供电电压经过所述高侧开关至所述电池供电电压的负电流流动的负电流流动检测块，其中所述高侧开关能配置成在检测到负电流流动时被禁用。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括升压转换器，所述升压转换器耦合到所述供电电压以生成高于所述供电电压的经推升供电电压。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述高侧开关包括PMOS晶体管。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，进一步包括与所述PMOS晶体管的体二极管串联的第一辅助开关，其中所述第一辅助开关被配置成在检测到负电流流动时被禁用。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一辅助开关包括PMOS晶体管，所述装置进一步包括将所述高侧开关的N阱与所述经推升供电电压耦合的第二辅助开关，其中所述第一辅助开关的N阱被进一步耦合到所述经推升供电电压。

6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一辅助开关的体二极管被置于与所述PMOS晶体管的体二极管的极性相反的极性。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述负电流流动检测块包括第一比较器，所述第一比较器具有耦合到所述电池供电电压的负端子、以及耦合到所述高侧开关的与所述电池供电电压对向的端子的正端子。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括第二比较器，所述第二比较器具有耦合到所述跟踪供电电压的正端子以及耦合到所述电池供电电压的负端子，所述高侧开关进一步被配置成仅在所述第二比较器输出为高且检测到负电流流动的情况下才被禁用。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高侧开关由条件逻辑块控制，所述条件逻辑块被配置成生成信号以使得所述高侧开关在检测到负电流且所述跟踪供电电压高于所述电池供电电压时被禁用，否则所述高侧开关基于开关功率级时钟信号来被禁用或启用。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述条件逻辑块包括SR锁存器，所述SR锁存器被配置成锁存检测到负电流且所述跟踪供电电压高于所述电池供电电压的先前指示，其中所述SR锁存器响应于所述跟踪供电电压低于所述电池供电电压而被重置。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高侧开关包括NMOS晶体管。

12.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述高侧开关被配置成通过被耦合到所述经推升供电电压来被截止。

13.一种用于电路的方法，包括：

使用高侧开关来将电池供电电压选择性地耦合到电感器，其中所述电感器进一步耦合到跟踪供电电压；

使用低侧开关来将所述电感器选择性地耦合到接地；

检测是否存在从所述跟踪供电电压经过所述高侧开关至所述电池供电电压的负电流流动；以及

响应于包括检测到所述负电流流动在内的至少一个条件，使用所述高侧开关来将所述电池供电电压从所述电感器解耦。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述高侧开关包括PMOS晶体管。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括响应于检测到负电流流动来禁用与所述PMOS晶体管的体二极管串联的开关。