[发明专利]光透电极有效

专利信息
申请号: 201480006024.6 申请日: 2014-02-03
公开(公告)号: CN104956295B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 吉城武宣 申请(专利权)人: 三菱制纸株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 张淑珍,王维玉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电极
【说明书】:

技术领域

本发明主要涉及用于触摸屏的光透电极,特别是涉及适用于投射电容式触摸屏的光透电极。

背景技术

在个人数字助理(PDA)、笔记本PC、办公室自动化设备、医疗设备或汽车导航系统等电子设备中,作为这些显示器的输入手段,广泛应用触摸屏。

根据位置检测的方法,触摸屏有光学式、超声波式、表面电容式、投射电容式、电阻膜式等。电阻膜式触摸屏由光透导电材料和带有透明导电层的玻璃隔着间隔物相对设置,构成电流流过光透导电材料以测定带有透明导电层的玻璃上的电压的构造。另一方面,电容式触摸屏的特征为,是以在基材上具有光透导电层的光透电极作为基本构成,没有可动的部分,由于耐久性强、透射率高,因而适用于各种各样的用途,进一步地,因为投射电容式可以多点同时检出,因而广泛应用于智能手机、平板PC等。

作为用于触摸屏的光透电极,一般使用在基材上由氧化铟锡(ITO)构成的光透导电层形成的光透电极。然而,由ITO构成的光透导电层存在以下问题:由于折射率大、光的表面反射大,使总透光率降低;由于柔性低,弯曲时ITO导电层发生龟裂,使电阻值升高等。

已知作为代替使用由ITO构成光透导电层的光透电极的光透电极,是在光透基材上对作为光透导电层的金属细线进行调整(例如通过对金属细线的线宽、间距(ピッチ)甚至是图案形状等进行调整),形成网状图案,由此维持高的总透光率,并且可以得到具有高导电性的光透电极。已知作为使用的金属细线图案的形状,可以利用各种形状的重复单元,例如在专利文献1中,利用如下重复单元以及其中的两种以上组合的图案:等边三角形、等腰三角形、直角三角形等三角形;正方形、长方形、菱形、平行四边形、梯形等四角形;六角形、八角形、十二角形、二十 角形等多边形;圆;椭圆;星形等。

作为使用金属细线组成的光透导电层的光透电极的制造方法,例如专利文献2、专利文献3等公开了半加成法:在基材上形成薄的催化剂层,在其上形成抗蚀图案后,通过镀敷法在抗蚀开口部层叠金属层,最后通过除去抗蚀层以及由抗蚀层保护的基底金属,由此形成导电性图案。

另外,近年来,已知将使用银盐扩散转印法的银盐照相感光材料作为导电性材料前体使用的方法。例如专利文献4、专利文献5和专利文献6等公开了以下技术:将在基材上至少依次具有物理显影核层和卤化银乳剂层的银盐照相感光材料(导电性材料前体)以图案曝光,使可溶性银盐形成剂和还原剂在碱溶液中起作用,形成金属银图案。由该方式形成的图案不仅能再现均一的线宽,而且由于银在金属中导电性最高,与其他方式相比,能以较细的线宽获得高导电性。进一步地,具有由该方法得到的金属银图案的光透导电层比由ITO构成的光透导电层具有柔性高、耐折弯的优点。

一般在使用投射电容式的触摸屏中,使用具有两层光透导电层的光透电极作为触摸传感器使用,所述光透导电层具有由多个列电极构成的传感器部。在这样的用途中,在将具有各种重复单元的金属图案作为列电极使用的触摸屏中,通常因为操作者凝视画面操作,存在金属图案本身映入眼帘(可见性高)的问题。另外,在两层光透导电层重叠的光透电极中,根据金属图案形状的不同,存在产生云纹、可见性较高的问题。进一步地,使用具有由极细的金属细线形成的重复单元的金属图案的光透电极中,根据图案形状的不同,在高温高湿环境下存在电阻值变动的情况、上述云纹的问题和该电阻值的稳定性的问题,人们尚不知道同时解决这些问题的方法。

对于这些问题,专利文献7提出将两层光透导电层中的一层光透导电层的列电极具有的金属图案的重复单元的形状作成菱形,将该菱形90°旋转后的重复单元作为另一层光透导电层的列电极具有的金属图案的重复单元使用。然而,在该方法中,根据条件不同,也存在看得见云纹的情况,进一步地,存在不能充分解决关于在高温高湿环境下的电阻值的稳定性的问题。

例如,像专利文献8等那样,提出基于消除云纹的目的,使用钻石形(ダイヤモンド状)图案作为列电极的金属图案,在上下的光透导电材料重叠时,构成两层光透导电层具有的列电极的金属图案一点也不重叠的方法,在该方法中,如果两层光透导电层没有以非常高的位置精度贴合,上下的图案容易产生错误地重合的部分或者完全没有图案的部分等,反而容易使可见性提高。而且,在该方式中,必然产生列电极的宽度变窄的部分,该部分较显著地受到具有由上述极细金属细线构成的重复单元的金属图案的电阻值在高温高湿环境下变动问题的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利公开公报特开平10-41682号

专利文献2:日本专利公开公报特开2007-287994号

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