[发明专利]压力传感器、使用该压力传感器的质量流量计以及质量流量控制器

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，具有：由第一材料形成的隔膜、以及接合在该隔膜上且在第二材料形成有多个应变仪的应变传感器，所述隔膜由支承部和因压力而变形的薄膜部构成，所述应变传感器与从所述隔膜的中心离开的端部位置接合，而且，在相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上并且在与所述应变传感器邻接或相距规定距离的隔膜上，形成有台阶。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述多个应变仪形成在所述应变传感器的中心附近，并且，所述应变传感器以所述应变传感器的中心与所述隔膜的薄膜部的端部附近一致的方式被接合。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

在相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，以隔着所述应变传感器的方式形成有至少两个所述台阶。

4.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，所述台阶的长度与所述应变传感器的长度相同，并且所述台阶的位置从所述应变传感器的一端到另一端无错位地设置，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶的长度未形成至所述隔膜的端部，并且所述台阶的位置与所述应变传感器邻接或相距规定距离，所述台阶的至少一部分形成在包括所述隔膜的薄膜部在内的范围内。

5.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，所述台阶的长度形成为比所述应变传感器的长度长，并且所述台阶设置在从与所述应变传感器相同的位置跨过中心的范围内，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶的长度未形成至所述隔膜的端部，并且所述台阶的位置与所述应变传感器邻接或相距规定距离，所述台阶的至少一部分形成在包括所述隔膜的薄膜部在内的范围内。

6.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，从所述隔膜的一端设置到另一端，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶的长度未形成至所述隔膜的端部，所述台阶的位置与所述应变传感器邻接或相距规定距离，所述台阶的至少一部分形成在包括所述隔膜的薄膜部在内的范围内。

7.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，从所述隔膜的一端设置到另一端，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶从与所述应变传感器邻接或相距规定距离的位置形成至所述隔膜的端部。

8.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的一定深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，从所述隔膜的一端设置到另一端，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶从与所述应变传感器邻接的位置形成至所述隔膜的端部。

9.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于，

所述台阶以不贯通所述隔膜的薄膜部的深度形成，并且在所述台阶的从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向上，所述台阶的长度形成为比所述应变传感器的长度长，并且所述台阶的位置从所述隔膜的端部设置到所述隔膜的中心位置，另一方面，在所述台阶的相对于从所述隔膜中心到接合了所述应变传感器的方向垂直的方向上，所述台阶从与所述应变传感器邻接或相距规定距离的位置形成至所述隔膜的端部，所述台阶的至少一部分形成在包括所述隔膜的薄膜部在内的范围内。