[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置在审
申请号: | 201480006575.2 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN104969337A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 松下孝夫;森伸一郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备所述密封片以及所述半导体元件的准备工序;
在所述准备工序之后,利用所述密封片来密封所述半导体元件的密封工序;以及,
在所述密封工序之后,回收所述密封片以及所述半导体元件的回收工序,
所述密封工序包括多余部分产生工序,在该多余部分产生工序中,一边利用夹着所述密封片而相互对置配置的两个冲压构件对所述密封片进行冲压,一边产生所述密封片的多余部分,
所述回收工序包括除去所述多余部分的除去工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述多余部分产生工序中,使所述多余部分向与两个所述冲压构件的冲压方向正交的方向伸出,
在所述回收工序中包括整形工序,在该整形工序中,将伸出的所述多余部分切断,并且对所述密封片的外形形状进行整形。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述整形工序中,利用相对于所述密封片进行回绕移动的第一切断构件,一边切断所述多余部分,一边对所述密封片的外形形状进行整形。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述整形工序中,利用具有以在向所述冲压方向投影时不与一方的所述冲压构件的投影面重叠的方式设置的刀刃的第二切断构件,在切断从所述投影面伸出的多余部分的同时,对所述密封片的外形形状进行整形。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在一方的所述冲压构件上形成有用于接受所述密封片的多余部分的接受部,
在所述多余部分产生工序中,使所述密封片的多余部分至少向接受部内伸出。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述密封工序中,将所述密封片以被堰部包围的方式配置而密封所述半导体元件,
在所述多余部分产生工序中,限制所述多余部分超过所述堰部而伸出的情况。
7.一种半导体装置的制造装置,是利用密封片来密封半导体元件的半导体装置的制造装置,其特征在于,具备:
准备所述密封片以及所述半导体元件的准备装置;
利用准备好的所述密封片来密封所述半导体元件的密封装置;以及,
回收被所述密封片密封后的所述半导体元件的回收装置,
所述密封装置构成为,一边利用相互对置配置的两个冲压构件对所述密封片进行冲压,一边产生所述密封片的多余部分,
所述回收装置具备除去所述多余部分的除去装置。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
两个所述冲压构件构成为,使所述多余部分向与冲压方向正交的方向伸出,
所述除去装置具备整形装置,该整形装置将伸出的所述多余部分切断,并且对所述密封片的外形形状进行整形。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述整形装置具备相对于所述密封片沿着所述正交的方向进行回绕移动的第一切断构件,
所述第一切断构件构成为,一边将所述多余部分切断,一边对所述密封片的外形形状进行整形。
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述整形装置具备第二切断构件,该第二切断构件具有以在向所述冲压方向投影时不与一方的所述冲压构件的投影面重叠的方式设置的刀刃,
所述第二切断构件构成为,在将向所述冲压方向投影时从所述投影面伸出的多余部分切断的同时,对所述密封片的外形形状进行整形。
11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
在一方的所述冲压构件上形成有用于接受所述密封片的多余部分的接受部,
所述接受部构成为接受所述多余部分。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造装置,其特征在于,
所述密封装置在两个所述冲压构件之间具备包围所述密封片的堰部,
所述堰部构成为限制所述多余部分超过所述堰部而伸出的情况。
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