[发明专利]具有可调整电极的沉积源

权利要求书

1.一种设备，用于沉积薄膜于基板上，包括：

基板支撑件，所述基板支撑件包括涂布鼓轮，所述基板支撑件具有外表面，用于导引所述基板通过真空处理区域；

等离子体沉积源，用以沉积所述薄膜于所述真空处理区域中的所述基板上，其中所述等离子体沉积源包括电极；以及

致动器，配置用以调整所述电极和所述外表面之间的距离，

其中所述等离子体沉积源包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述电极及所述涂布鼓轮的轴，其中所述支撑元件包括碟件的至少一部分以及提供有冷却通道或加热元件以控制所述支撑元件的温度，

其中所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所述涂布鼓轮加所述真空处理区域的宽度的直径，其中所述碟件的所述部分由一材料所组成，所述材料与具有不同的热膨胀系数的所述涂布鼓轮的材料不同，其中所述碟件的所述部分保持于合适的温度水平，以调整所述碟件的所述部分的直径成为所述涂布鼓轮的直径。

2.一种设备，用于沉积薄膜于基板上，包括：

基板支撑件，所述基板支撑件包括涂布鼓轮，所述基板支撑件具有外表面，用于导引所述基板通过真空处理区域；

等离子体沉积源，用以沉积所述薄膜于所述真空处理区域中的所述基板上，其中所述等离子体沉积源包括电极；以及

致动器，配置用以调整所述电极和所述外表面之间的距离，

其中所述等离子体沉积源包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述电极及所述涂布鼓轮的轴，其中所述支撑元件包括碟件的至少一部分以及提供有冷却通道或加热元件以控制所述支撑元件的温度，

其中所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所述涂布鼓轮加所述真空处理区域的宽度的直径，其中所述碟件的所述部分由一材料所组成，所述材料相同于所述涂布鼓轮的材料，且其中所述碟件保持于相同的温度，以调整所述碟件的所述部分的直径成为所述涂布鼓轮的直径。

3.如权利要求1或2所述的设备，其中所述基板为柔性的基板。

4.如权利要求1或2所述的设备，更包括：

监控装置，用于监控所述真空处理区域的宽度。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述监控装置包括光学或电力监控器，用以光学地或电力地监控所述真空处理区域的宽度。

6.如权利要求4所述的设备，其中所述监控装置为等离子体监控器，连接于所述等离子体沉积源，用以监控一或多个等离子体条件。

7.如权利要求1或2所述的设备，其中所述基板支撑件的所述外表面为所述涂布鼓轮的弯曲表面，所述电极的表面为弯曲表面。

8.如权利要求7所述的设备，其中所述涂布鼓轮的所述弯曲表面和至少所述等离子体沉积源的所述电极的所述弯曲表面具有可以经由至少所述等离子体沉积源的定位来调整的距离。

9.如权利要求7所述的设备，其中所述弯曲表面成形为使得所述电极具有本质上平行于所述涂布鼓轮的表面的表面。

10.如权利要求1或2所述的设备，更包括：

气体分离单元，用以分离所述真空处理区域与其它第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，所述基板可经由所述狭缝通过所述基板支撑件的所述外表面与所述气体分离单元间，

其中所述气体分离单元适用于控制在所述真空处理区域与所述其它第二真空处理区域之间的流体连通，其中所述流体连通藉由调整所述气体分离单元的位置来控制。

11.如权利要求10所述的设备，其中所述气体分离单元包括致动器，配置用以调整所述狭缝的宽度。

12.如权利要求10所述的设备，其中所述气体分离单元包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述气体分离单元及所述涂布鼓轮的所述轴。