[发明专利]能量供体增强的染料敏化太阳能电池(DSC)、制造DSC的方法以及使用DSC产生光电流的方法在审
申请号: | 201480007026.7 | 申请日: | 2014-01-30 |
公开(公告)号: | CN104969319A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 肖恩·韦尔;戴维·埃文斯;西村·卡伦;潘威;李宗霑 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能量 供体 增强 染料 太阳能电池 dsc 制造 方法 以及 使用 生光 电流 | ||
1.一种能量供体增强的染料敏化太阳能电池(DSC),所述DSC包括:
透明基板;
在所述透明基板上的透明导电氧化物(TCO)膜;
用染料(D1)敏化的在所述TCO膜上的n型半导体层;
氧化还原电解质,其与敏化的n型半导体层接触,并且包含溶解于所述氧化还原电解质中的能量供体材料(ED1);
在所述氧化还原电解质上的对电极;并且,
其中所述染料(D1)能够在所述n型半导体的表面进行电荷转移,并且具有在第一波长(A1)下的第一吸光度局部最大值和在比所述第一波长长的第二波长(A2)下的第二吸光度局部最大值;并且,
其中所述能量供体材料(ED1)能够进行向所述染料(D1)的非辐射能量转移,具有在介于所述第一波长(A1)和所述第二波长(A2)之间的第三波长(A3)下的第三吸光度局部最大值,以及在所述第三波长(A3)和所述第二波长(A2)之间的第一光发射局部最大值。
2.根据权利要求1所述的DSC,其中所述染料(D1)包含卟啉材料。
3.根据权利要求2所述的DSC,其中所述卟啉材料是通过与过渡金属配位得到的金属卟啉。
4.根据权利要求3所述的DSC,其中所述金属卟啉是锌卟啉(ZnP)。
5.根据权利要求1所述的DSC,其中所述能量供体材料(ED1)包括选自由下列各项组成的组的材料:苝-单酰亚胺材料和化学改性的苝-单酰亚胺材料。
6.根据权利要求5所述的DSC,其中所述苝-单酰亚胺材料是1,6,9-三-(4-叔丁基苯氧基)-N-(2,6-二异丙基苯基)苝-3,4-二甲酰亚胺(TTBPP)。
7.根据权利要求1所述的DSC,其中所述染料(D1)对所述n型半导体层功能化。
8.根据权利要求1所述的DSC,其中所述氧化还原电解质处于选自由下列各项组成的组的形式:液体、固体、半固体、离子液体,以及上述形式的组合。
9.根据权利要求1所述的DSC,其中所述n型半导体层选自由下列各项组成的组:钛的金属氧化物(TiO2)、铝的金属氧化物(Al2O3)、锡的金属氧化物(SnO2)、镁的金属氧化物(MgO)、钨的金属氧化物(WO3)、铌的金属氧化物(Nb2O5),以及包含多于一种金属的混合金属氧化物。
10.根据权利要求1所述的DSC,其中所述n型半导体层具有选自由下列各项组成的组的形式:纳米粒子、纳米管、纳米棒、纳米线,以及上述形态的组合。
11.根据权利要求1所述的DSC,所述DSC还包括:
在所述TCO膜和共敏化n型半导体层之间插入的阻挡层。
12.根据权利要求1所述的DSC,其中所述DSC具有在所述第一波长(A1)下的第一入射光到电流转换效率(IPCE)、在所述第二波长(A2)下的第二IPCE、和在所述第三波长(A3)下的第三IPCE;并且,
其中含有所述能量供体材料(ED1)的所述DSC具有在所述第三波长(A3)下的大于所述第三IPCE的第四IPCE。
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