[发明专利]用于蚀刻含有铜和钛的多层膜的液体组合物、和使用该组合物的蚀刻方法、多层膜配线的制造方法、基板

权利要求书

1.一种液体组合物，其为用于蚀刻多层膜的液体组合物，所述多层膜包含：由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层和由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层，所述液体组合物包含：

(A)马来酸根离子供给源、

(B)铜离子供给源、以及

(C)氟化物离子供给源，

且pH值为0～7。

2.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述(A)马来酸根离子供给源为选自由马来酸和马来酸酐组成的组中的至少一种，其浓度为0.01～5摩尔/kg。

3.根据权利要求1或2所述的液体组合物，其中，所述(B)铜离子供给源为选自由铜、硫酸铜、硝酸铜、氢氧化铜和氯化铜组成的组中的至少一种，其浓度为0.01～5摩尔/kg。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其中，所述(A)马来酸根离子供给源相对于所述(B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为0.01～40。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的液体组合物，其中，所述(C)氟化物离子供给源为选自由氢氟酸、氟化铵、酸式氟化铵和缓冲氢氟酸组成的组中的至少一种，其浓度为0.001～5摩尔/kg。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的液体组合物，其还包含(D)除了马来酸根离子之外的羧酸根离子供给源。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的液体组合物，其中，所述(D)除了马来酸之外的羧酸根离子供给源为选自由醋酸、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸和这些羧酸的盐、以及醋酸酐组成的组中的至少一种，其浓度为0～5摩尔/kg。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的液体组合物，其还包含(E)除了氟化物离子之外的卤化物离子供给源。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的液体组合物，其中，所述(E)除了氟化物离子之外的卤化物离子供给源为选自由盐酸、氢溴酸、氯化铵、氯化钾、氯化铜和溴化钾组成的组中的至少一种，其浓度为0～5摩尔/kg。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的液体组合物，其还包含pH调节剂。

11.一种蚀刻方法，其为对多层膜进行蚀刻的方法，所述多层膜包含：由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层和由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层，所述蚀刻方法包括：使权利要求1～10中任一项所述的液体组合物接触该多层膜。

12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜为将由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层与由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层进行层叠的双层膜。

13.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜为将钛或含钛作为主成分的化合物的层、由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层、以及由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层依次进行层叠的三层膜。

14.一种多层膜配线的制造方法，其为在基板上制造多层膜配线的方法，所述多层膜配线至少包含：由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层和由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层，

在基板上设置由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层和由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层，从而形成多层膜，

在该多层膜上覆盖抗蚀剂，从而形成抗蚀膜，

通过对该抗蚀膜进行曝光和显影而形成规定的抗蚀图案，从而形成蚀刻对象物，

使权利要求1～10中任一项所述的液体组合物接触该蚀刻对象物，从而对该多层膜进行蚀刻来形成多层膜配线。

15.一种基板，其为设置有多层膜配线的基板，所述多层膜配线至少包含：由钛或含钛作为主成分的化合物组成的层和由铜或含铜作为主成分的化合物组成的层，

所述基板使用权利要求14所述的多层膜配线的制造方法进行制造。