[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480007251.0 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104969334B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 山本祐广 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有焊盘，该半导体装置的特征在于，
该半导体装置具备：
第一层间绝缘膜上的第一金属膜；
所述第一金属膜上的第二层间绝缘膜；
金属塞柱，其贯通所述第二层间绝缘膜而形成；以及
所述焊盘，其由以经由所述金属塞柱进行电连接的方式设置在所述第二层间绝缘膜上的第二金属膜构成，
所述金属塞柱包括大径的第一金属塞柱，所述第二金属膜以到达所述第一金属膜的方式进入到所述第一金属塞柱中，由此在所述第一金属塞柱正上方的所述焊盘的表面上形成有凹部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述金属塞柱还具有直径比所述第一金属塞柱的直径小的小径的第二金属塞柱。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一金属塞柱由高熔点金属膜和所述第二金属膜构成，第二金属塞柱仅由高熔点金属膜构成，所述第二金属塞柱正上方的所述第二金属膜的表面是平坦的。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二金属塞柱被配置在所述焊盘区域之外。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一金属塞柱和所述第二金属塞柱在所述焊盘区域内交替配置。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述金属塞柱在所述焊盘区域内呈同心圆状配置。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
除了所述焊盘的角部方向之外，所述金属塞柱在所述焊盘区域内呈同心圆状配置。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述金属塞柱在所述焊盘区域内呈涡卷状配置。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述金属塞柱在所述焊盘的中央部呈圆形配置，进而在所述中央部的外侧呈涡卷状配置。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
关于所述金属塞柱，在所述焊盘区域内，沿着所述焊盘的四边配置有4个使多个所述金属塞柱集合而形成为梯形区域的部分。
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