[发明专利]存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法

权利要求书

1.一种存储器单元阵列，其包括：

埋入式存取线，其包括导电掺杂半导体材料；

支柱，其在高度上从所述埋入式存取线向外延伸且沿着所述埋入式存取线间隔开，所述支柱个别地包括存储器单元；

外部存取线，其在高度上从所述支柱及所述埋入式存取线向外，所述外部存取线相比于所述埋入式存取线具有更高导电性；

多个导电通孔，其沿着所述埋入式及外部存取线中的个别者的线对间隔开且电耦合所述线对，多个所述支柱沿着所述线对在所述通孔中的紧邻近者之间；及

导电金属材料，其直接抵靠所述埋入式存取线的顶部且沿着所述个别埋入式存取线在所述支柱之间延伸，所述导电金属材料在高度上延伸到所述支柱的下方。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述个别支柱包括介于其埋入式存取线与其存储器单元之间的选择装置。

3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述存储器单元个别地包括在其之间具有相变材料的一对电极。

4.根据权利要求3所述的阵列，其中所述存储器单元个别地包括所述对电极之间的加热器材料，所述加热器材料包括具有第一部分及在高度上从所述第一部分向外延伸的第二部分的角板结构。

5.根据权利要求3所述的阵列，其中所述对电极包括高度上外部及内部电极，所述高度上外部电极包括电耦合从不同个别埋入式存取线延伸的支柱的感测线。

6.根据权利要求5所述的阵列，其中所述相变材料位于在高度上从所述感测线中的个别者向内且沿着所述个别者延伸的个别线中。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中所述金属材料与所述导电掺杂半导体材料之间的电接触电阻小于所述导电掺杂半导体材料的固有电阻的一半。

8.根据权利要求1所述的阵列，其中直接抵靠所述埋入式存取线顶部的所述金属材料的部分是金属硅化物。

9.根据权利要求8所述的阵列，其中所述金属硅化物直接抵靠的所述埋入式存取线顶部包括元素硅。

10.根据权利要求8所述的阵列，其中所述金属材料由所述金属硅化物组成。

11.根据权利要求8所述的阵列，其中所述金属材料是非均质的且包括除所述金属硅化物以外的直接抵靠所述金属硅化物的金属。

12.根据权利要求1所述的阵列，其中直接抵靠所述埋入式存取线顶部的所述金属材料的部分并非金属硅化物。

13.根据权利要求12所述的阵列，其中直接抵靠所述埋入式存取线顶部的所述金属材料的所述部分是由元素金属、元素金属的合金或由除所述导电掺杂半导体材料的元素以外的元素组成的另一金属化合物中的至少一者。

14.根据权利要求12所述的阵列，其中直接抵靠所述埋入式存取线顶部的所述金属材料不含金属硅化物。

15.根据权利要求1所述的阵列，其中所述金属材料在所述支柱下方与其自身互连。

16.根据权利要求1所述的阵列，其中所述金属材料在所述支柱下方不与其自身互连。