[发明专利]氮化物荧光体及其制造方法

说明书

本发明涉及一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm的激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率为89％以上。Ln_xSi_yN_n:Z…(1)(通式(1)中，Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，Z是激活剂，x满足2.7≤x≤3.3，y满足5.4≤y≤6.6，n满足10≤n≤12。)

技术领域

本发明涉及氮化物荧光体、含有该氮化物荧光体的液态介质、含有该氮化物荧光体的发光装置以及含有该发光装置的照明装置。

背景技术

近年来，受节能的潮流的影响，使用LED的照明或背光灯的需求正在增加。这里使用的LED是在发出蓝或近紫外波长的光的LED芯片上配置有荧光体的白色发光LED。作为这种类型的白色发光LED，大多利用在蓝色LED芯片上使用了将来自蓝色LED芯片的蓝色光作为激发光而发出黄色的YAG(钇铝石榴石)荧光体的LED。

但是，YAG荧光体在大输出功率下使用的情况下，存在以下问题：若荧光体的温度上升则亮度降低，即所谓的温度猝灭大的问题，以及寻求更优异的颜色再现范围和显色性而用近紫外线(通常，作为相对于蓝激发的用语，将包含350～420nm左右的紫色的范围称作近紫外线)激发时亮度显著降低的问题。

而且，为解决上述问题，讨论了发黄色光的氮化物荧光体，作为其有力的候补，开发出了例如专利文献1和2中记载的La₃Si₆N₁₁荧光体(包含镧被置换为其他金属的情况等，以下将这种荧光体统称为LSN荧光体。)等。而且，在专利文献1的[0248]段落中，在专利文献2中的[0131]～[0136]段落中记载了使用各种助熔剂制造LSN荧光体的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2008/132954号

专利文献2:国际公开第2010/114061号

发明内容

专利文献1、2中记载的LSN荧光体与现有的YAG荧光体相比，即使温度上升，亮度的降低也小，而且近紫外线的激发也能够得到充分的发光。但是，受节能的潮流的影响，要求荧光体用更少的激发能量就得到更高的发光亮度。

鉴于上述，本发明提供一种发光亮度更高的、即发光峰强度更高的氮化物荧光体和含有该氮化物荧光体的液态介质。另外本发明提供一种发光亮度更高的发光装置和高品质的照明装置。

本发明人等进行了深入研究，结果注意到本发明的氮化物荧光体与现有的LSN荧光体相比“灰暗”减少。应予说明，本发明中的“灰暗”是指在不激发荧光体的情况下在自然光下通过目视确认荧光体粉末时，看到荧光体的本身颜色略带灰色。

在此，本发明人等着眼于该“灰暗”，发现作为规定发光亮度更高的氮化物荧光体的指标，能够通过特定波长下的反射率来进行规定，从而完成了本发明。

即，本发明的主旨如下。

1.一种氮化物荧光体，是由下述通式(1)表示的氮化物荧光体，以455nm激发光激发时的发光色坐标(x,y)的x值小于0.43，并且在770nm的反射率Ra为89％以上。

Ln_xSi_yN_n:Z…(1)

[通式(1)中，

Ln是除了作为激活剂使用的元素以外的稀土元素，

Z是激活剂，

x满足2.7≤x≤3.3，

y满足5.4≤y≤6.6，