[发明专利]用于EUV-光刻中的镜面基材的由TiO2-SiO2玻璃构成的坯料及其制造方法有效
申请号: | 201480008162.8 | 申请日: | 2014-02-04 |
公开(公告)号: | CN104995557B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | S.托马斯;K.贝克;S.奥克斯 | 申请(专利权)人: | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 |
主分类号: | G03B19/14 | 分类号: | G03B19/14;G03F7/20;C03B32/00;C03B20/00;C03C3/06;G02B5/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周铁;石克虎 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 euv 光刻 中的 基材 tio sub sio 玻璃 构成 坯料 及其 制造 方法 | ||
1.用于EUV-光刻中的镜面基材的由TiO2-SiO2玻璃构成的坯料,其特征在于,在920℃至970℃的假想温度Tf平均值下,所述TiO2-SiO2玻璃具有其过零温度TZC对于假想温度Tf的依赖性,其以微商dTzc/dTf表示小于0.3,所述坯料通过下面方法获得,所述方法包括以下方法步骤:
(a)通过含硅和钛的起始物质的火焰水解,产生由具有第一氧化钛浓度的 SiO2构成的第一多孔性烟灰体,
(b)干燥和烧结所述第一多孔性烟灰体,从而获得具有第一氧化钛浓度的TiO2-SiO2玻璃,其中将平均羟基含量调至小于300重量ppm,
(c)在均匀化过程中将所述TiO2-SiO2玻璃均匀化,其中在起氧化作用的气氛中将所述TiO2-SiO2玻璃加热至大于2000℃的温度,在此软化和变形,从而出现小于5x1016分子/cm3的平均氢浓度,
(d)将具有小于300重量ppm的平均羟基含量和小于5x1016分子/cm3的平均氢浓度的所述TiO2-SiO2玻璃模制为模制体,并且
(e)将所述模制体退火,从而在920℃至970℃的平均假想温度Tf下,使所述TiO2-SiO2玻璃具有其过零温度TZC对于假想温度Tf的依赖性,其以微商dTzc/dTf表示小于0.3。
2.根据权利要求1的坯料,其特征在于,所述微商dTzc/dTf小于0.25。
3.根据权利要求1的坯料,其特征在于,所述TiO2-SiO2玻璃具有200至300重量ppm的平均羟基含量。
4.根据前述权利要求1-3任一项的坯料,其特征在于,所述TiO2-SiO2玻璃具有小于1x1016分子/cm3的平均氢浓度。
5.根据前述权利要求1-3任一项的坯料,其特征在于,其由上侧面和下侧面界定,并且所述TiO2-SiO2玻璃在上侧面和下侧面之间具有不均匀的氧化钛浓度分布。
6.根据权利要求5的坯料,其特征在于,其形成为复合体,该复合体包含由具有第一氧化钛浓度的TiO2-SiO2玻璃构成的第一模制体和由具有第二氧化钛浓度的TiO2-SiO2玻璃构成的第二模制体,所述第二模制体与第一模制体接合。
7.根据权利要求6的坯料,其特征在于,所述第一模制体具有第一平均假想温度,并且所述第二模制体具有第二平均假想温度,其中第一和第二平均假想温度彼此不相同。
8.根据权利要求6或7的坯料,其特征在于,所述第一或第二模制体形成为具有最大60mm厚度的板状。
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