[发明专利]单晶硅棒的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅棒的制造方法，其通过切克劳斯基单晶生长法控制提拉条件，提拉N区域单晶硅棒，其特征在于，

对从所述提拉的N区域单晶硅棒切出的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行EOSF检查，即，实施选择蚀刻测定增强-OSF密度，并且进行浅坑检查，即，调查该EOSF检查后的样本晶圆的浅坑的发生图案，

来判定所述样本晶圆的缺陷区域，在根据该判定结果调整所述提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，

在所述缺陷区域的判定中，

事先调查好V区域以及N区域与增强-OSF密度间的关系，根据该关系和通过所述EOSF检查测定出的增强-OSF密度，进行所述V区域以及所述N区域的判定，

根据通过所述浅坑检查调查出的浅坑的发生图案，判断在I区域与N区域的边界形成的氧析出物形成区域的位置，进行所述I区域以及所述N区域的判定，

在所述缺陷区域为N区域的情况下，也判定是Nv区域内的哪个部分，或者是Ni区域内的哪个部分，根据该判定结果调整所述提拉条件。

2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制造方法，其特征在于，作为所述使氧析出物表面化的热处理，以900～1050℃实施30～300分钟的第1级热处理，之后以1100～1200℃实施30～200分钟的第2级热处理。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅棒的制造方法，其特征在于，在调整所述提拉条件时，通过调整N区域单晶硅棒的提拉速度(F)、原料熔体液面与隔热部件下端间的距离(D)、加热原料的加热器位置(P_H)、容纳原料熔体的坩埚位置(P_C)中的一个以上来进行。

4.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制造方法，其特征在于，在所述缺陷区域的判定中，在判定为是Nv区域内V区域一侧的部分时，减小所述提拉速度(F)，或者增大所述距离(D)，在判定为是Ni区域内I区域一侧的部分时，增大所述提拉速度(F)，或者减小所述距离(D)。