[发明专利]形成器件下互连结构的方法有效
| 申请号： | 201480008705.6 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105190875B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | P·莫罗;D·尼尔森;M·C·韦伯;K·俊;I-S·孙 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 器件 互连 结构 方法 | ||
1.一种形成结构的方法，包括：
在第一衬底中形成至少一个布线层；
在第二衬底中形成器件层；以及
耦合所述第一衬底与所述第二衬底，其中，将所述第一衬底接合到所述第二衬底，
其中，通过位于所述结构的一侧上的凸块来传输I/O信号，并且通过位于所述结构的另一侧上的凸块来传输VCC和VSS电源，其中，位于所述结构的所述另一侧上的所述凸块接触热沉。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，所述布线层包括电源布线层、地布线层和信号布线层的至少其中之一。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，所述至少一个布线层包括VCC、VSS和I/O传输结构的其中之一。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，在所述第二衬底中形成所述器件层，并在所述第一衬底中形成所述至少一个布线层。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，层转移所述第一衬底和所述第二衬底并将所述第一衬底和所述第二衬底彼此接合。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：其中，将设置于所述第一衬底上的第一接合层和设置于所述第二衬底上的第二接合层直接接合在一起。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，所述第二衬底包括实质上所有的电源导电互连件和I/O导电互连件，并且其中，VSS和VCC的其中之一耦合到设置于所述第一衬底中的所述至少一个布线层。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：其中，所述第二衬底包括实质上所有的电源凸块和I/O凸块，并且其中，VSS和VCC两者都耦合到所述第一衬底中的所述布线层。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：其中，在所述第一衬底中形成mim电容器。
10.一种形成封装结构的方法，包括：
在第一衬底上形成第一接合层；其中，所述第一衬底包括至少一个布线层；
在第二衬底的器件层上形成第二接合层；以及
将所述第一接合层与所述第二接合层进行接合，
其中，通过位于所述封装结构的一侧上的凸块来传输I/O信号，并且通过位于所述封装结构的另一侧上的凸块来传输VCC和VSS电源，其中，位于所述封装结构的所述另一侧上的所述凸块接触热沉。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：其中，从所述第二衬底解理所述第二衬底的施主部分。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括：其中，在将所述第一接合层接合到所述第二接合层之后，在所述器件层中形成电路元件。
13.根据权利要求10所述的方法，还包括：其中，通过使用层转移工艺来将所述第一衬底接合到所述第二衬底。
14.根据权利要求10所述的方法，还包括：其中，所述第一衬底包括不多于一层的金属布线。
15.根据权利要求10所述的方法，还包括：其中，所述第一接合层和所述第二接合层包括氧化物材料、金属材料和硅材料的其中之一。
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