[发明专利]具有可变电容的三端半导体器件

权利要求书

1.一种可调谐电容器，包括：

基板；

由所述基板支撑的沟槽栅极，所述沟槽栅极具有第一深度且在第一方向上延伸；

第一极性的第一阱，所述第一阱在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸；

与所述第一阱相邻且在所述第一方向上延伸的所述第一极性的第一阱拾取区；以及

散布于所述第一极性的所述第一阱中在所述沟槽栅极与所述第一阱拾取区之间的第二极性的第一多个耗尽控制柱，所述第二极性与所述第一极性不同，所述第一多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到所述第一多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱的可变电压在所述第一阱中创建相应大小的耗尽区以控制所述沟槽栅极和所述第一阱拾取区之间电容的变化。

2.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一极性是负N且所述第二极性是正P。

3.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，

所述第一阱是负N阱；以及

所述第一阱拾取区是负N阱拾取区。

4.如权利要求3所述的可调谐电容器，其特征在于，

所述沟槽栅极是N+区，

所述第一多个耗尽控制柱是P+柱；以及

所述第一阱拾取区是N+区。

5.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱延伸到比所述沟槽栅极的所述第一深度小的深度。

6.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱中的单独耗尽控制柱具有比所述单独耗尽控制柱在所述第一方向上的宽度更大的深度。

7.如权利要求6所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱被电连接同时在所述第一方向上彼此间隔至少与单独耗尽控制柱在所述第一方向上的所述宽度一样宽的距离。

8.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱散布于所述第一阱中在所述沟槽栅极与所述第一阱拾取区之间的中途或大约中途处。

9.如权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：

耦合到所述沟槽栅极的电容器栅极端；

耦合到所述第一多个耗尽控制柱中的至少一个耗尽控制柱的耗尽控制端；

耦合到所述第一极性的所述第一阱拾取区的阱拾取端；以及

所述第一多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到相应耗尽控制端的可变电压在所述第一阱中创建相应大小的耗尽区，以向所述第一多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱施加所述可变电压来控制所述沟槽栅极和所述第一阱拾取区之间所述电容的变化。

10.如权利要求9所述的可调谐电容器，其特征在于，所述第一多个耗尽控制柱中的每个耗尽控制柱彼此间隔开，从而形成在所述第一方向上延伸的所述第一多个耗尽控制柱的行。

11.如权利要求10所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：

在所述第一方向上延伸且将所述第一阱与所述沟槽栅极隔开的第一内衬氧化层。

12.如权利要求10所述的可调谐电容器，其特征在于，还包括：

在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸的所述第一极性的第二阱；

与所述第二阱相邻的且在所述第一方向上延伸的第二阱拾取区；以及

散布于所述第二阱中在所述沟槽栅极与所述第二阱拾取区之间的所述第二极性的第二多个耗尽控制柱，所述第二多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到所述第二多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱的第二可变电压在所述第二阱中创建相应大小的第二耗尽区以控制所述沟槽栅极和所述第二阱拾取区之间第二电容的变化。