[发明专利]非隔离的AC到DC功率器件在审
申请号: | 201480008744.6 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104995576A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | A·J·莫里什 | 申请(专利权)人: | 柏恩氏股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46;H02M7/155 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 ac dc 功率 器件 | ||
1.一种装置,包括:
整流器电路;
积分电路;
模拟电流阻挡(ACB)元件,串联连接在所述整流器电路和所述积分电路之间,其中所述ACB元件具有包括低电阻(LR)模式和高电阻(HR)模式的两个或多个操作模式,并且其中所述HR模式具有足以充分阻挡电流流过所述ACB元件的电阻;
其中当通过所述ACB元件的电流(IACB)达到限制电流I限制时,所述ACB元件自动地朝向所述HR模式转变,并且其中当所述ACB元件两端的电压(VACB)低于复位电压V复位时,所述ACB元件自动地朝向所述LR模式转变;
其中所述ACB元件被配置成使得I限制和V复位受将控制信号施加至所述ACB元件的控制;以及
反馈控制环,配置成在输入AC功率被提供至所述整流器电路时通过改变所述控制信号来保持所述积分电路的输出恒定处于预定值。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述ACB元件具有作为在所述LR模式和所述HR模式之间的中间模式的负微分电阻(NDR)模式。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述ACB元件的所述NDR模式具有-1/RNEG的I/V斜率,其中RNEG是在约0.2/I限制最大欧姆和约20/I限制最大欧姆之间,其中I限制最大是所述装置的最大电流限制。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置被配置成提供经调节的电压。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置被配置成提供经调节的电流。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述控制信号是具有参考输入和所述积分电路的输出作为输入的差分放大器的输出。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述ACB元件包括串联连接以形成IACB的电流路径的第一和第二晶体管。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一晶体管的栅极被连接至所述ACB元件的输入,并且其中所述第二晶体管的栅极被连接至所述控制信号。
9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一晶体管的栅极被连接至所述ACB元件的输入,并且其中所述第二晶体管的栅极被连接至线性差分放大器的输出,所述线性差分放大器具有所述第一和第二晶体管之间的节点和所述控制信号作为输入。
10.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一和第二晶体管是耗尽型器件。
11.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一和第二晶体管是增强型器件。
12.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一和第二晶体管中的一个是增强型器件并且所述第一和第二晶体管中的另一个是耗尽型器件。
13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述ACB元件的电阻在所述LR模式中是小于约50欧姆。
14.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述ACB元件的电阻在所述HR模式中是大于约100千欧。
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