[发明专利]带载体超薄铜箔、覆铜层压板以及无芯基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种适合制造无芯基板的带载体超薄铜箔、以及由该带载体超薄铜箔的超薄铜箔构成的覆铜层压板。

背景技术

随着电子仪器的小型化、薄型化发展，电路基板厂家正在考虑使用称作无芯基板的可实现薄型化的基板来制造多层层压板，并趋于将半导体封装等中使用的部分积层基板替换成无芯基板。然而，无芯基板由于不存在支撑布线层的核心，因此缺乏刚性，在形成布线层的过程中，可能会发生弯折、翘曲、破裂等问题。因此，人们考虑一种新式制造方法，将带载体超薄铜箔的载体箔作为支撑体，在超薄铜箔侧层压积层电路基板，最后剥离带载体超薄铜箔的载体箔，从而仅取出无芯基板。

积层基板在支撑体即核心层上下重复层压细微布线层(积层层)，形成高密度布线。然而，所述核心层采用由玻璃环氧树脂等制成的传统印刷基板技术，会导致电气特性劣化。尤其，贯通核心层的电镀通孔所拥有的较大电感成分，成为增大半导体芯片电源噪音的主要原因。为此，人们更加趋于采用取消该核心层的无芯基板。

以下，说明将带载体超薄铜箔作为支撑体的无芯基板的具体制造工序。无芯基板经由图1(a)～(g)顺序的工序进行制造。在带载体超薄铜箔3的超薄铜箔2上，贴合预浸片材4。在预浸片材4上，贴合形成细微布线用带载体超薄铜箔7。剥离形成细微布线用带载体超薄铜箔的载体箔5，将超薄铜箔6蚀刻成规定的布线图案，形成细微布线8。在细微布线8上，再度贴合预浸片材4，完成无芯基板的第一层。重复(b)～(d)工序，在作为支撑体的带载体超薄铜箔上形成无芯基板9。然后，剥离作为支撑体的载体箔1，最后利用蚀刻等去除最外层的超薄铜箔2，仅取出(g)所示的无芯基板，从而制造完成。

制造上述无芯基板时，形成于内层的细微布线在形成过程中，也使用带载体超薄铜箔。在图1工序(b)之后，剥离载体箔5时，若带载体超薄铜箔3的载体剥离强度不高，则用作支撑体的载体箔1可能会在无芯基板制造工序中的意外阶段被剥离。此外，若载体剥离强度太高，则在层压工序结束，剥离无芯基板时，需要较强力，可能会导致无芯基板发生弯折或翘曲等，造成损伤。因此，关于从超薄铜箔2上剥离带载体超薄铜箔3的载体箔1的剥离强度，虽然在电镀或蚀刻等制造工序中需要适当的紧密性，但最终必须在剥离时不会因机械操作而导致无芯基板受损，因此优选为0.05kN/m～0.15kN/m。

关于带载体超薄铜箔的剥离层，例如有专利文献1及2中记载的发明，但本发明人等认为，它们都不是特意制造无芯基板的发明，这些提案如果直接用于制造无芯基板，可能会发生意外问题。

例如，专利文献1(WO2010/27052号公报)主要关注点为，考虑到制造多层层压板时负荷的温度，为在300℃～400℃高温环境下也易剥离载体箔和超薄铜箔，将剥离界面分为2层，并规定2层剥离层的金属比例，从而易剥离。

此外，专利文献2(日本专利公开2007-186781号公报)规定了剥离强度较低且抑制气泡发生所需的、构成剥离层的2种金属A和B的含量。

然而，与本发明相反，这些提案的开发目的在于，制作层压板时，即使在负荷高温(300℃～400℃)加热下加压后，也维持载体剥离强度较低，若使用这种载体剥离强度较低的带载体铜箔制造层压板、尤其无芯基板，会由于层压工序中施加的力，在层压工序中的意外阶段，作为支撑体的载体箔与超薄铜箔之间发生剥离问题，存在风险性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2010/27052号公报

专利文献2：日本专利公开2007-186781号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

如上所述，为防止在层压板层压工序中的意外阶段载体箔与銅箔之间发生剥离，需要一种载体剥离强度较高的带载体超薄铜箔。

尤其，需要一种在制造无芯基板时施加较低温(主要为玻璃环氧树脂基板和双马来酰亚胺三嗪树脂基板加压所需的150℃～220℃)加热后，成为适宜高载体剥离强度的带载体超薄铜箔。

本发明目的在于，提供一种满足这种要求的带载体超薄铜箔，以及使用该带载体超薄铜箔的层压板。

(二)技术方案

本发明的带载体超薄铜箔，其具有载体箔、超薄铜箔及剥离层，所述剥离层形成于所述载体箔与所述超薄铜箔之间，且由保持剥离性的金属A及易进行所述超薄铜箔电镀的金属B构成，其特征在于，