[发明专利]单元编程验证

说明书

本文公开了用于为相变存储器阵列验证单元编程的技术。在示例中，方法可包括将重置脉冲发送到相变存储器单元。方法可还包括响应跨相变存储器单元应用第一与第二验证电压，感应相变存储器单元的阈值电压，其中，第二验证电压低于第一验证电压。方法也可包括确定相变存储器单元的阈值电压是否低于第一或第二验证电压。

技术领域

本文中所述实施例一般涉及相变存储器。

背景技术

相变存储器使用相变材料实现电子数据存储。相变材料一般能够在通常非结晶与通常结晶状态之间电交换。一些材料可电交换到落在受完全非结晶和完全结晶状态约束的谱上的多个可检测结晶度或结晶性的多个可检测顺序。适合用于此类应用的典型材料包括各种硫化合物元素。相变材料的一个有用属性是它们是非易失性的。将存储器设置在表示电阻值的结晶性的特定状态时，在重新编程存储器前，即使去除电源，仍保持该值。这是因为程序值能够被指派到材料的每个相位或物理状态（例如，结晶或非结晶或其中的某个程度）。

附图说明

结合通过示例一起示出本公开内容的特征的附图的以下详细描述，将明白本公开内容的特征和优点；以及其中：

图1示出根据示例的设置单元和重置单元阈值电压分布和相对第一与第二验证电压的图形或曲线图；

图2示出根据示例，用于验证相变存储器单元中干扰的重置和缺乏的双验证重置编程方法的判定图；

图3示出根据示例，用于相变存储器的验证单元编程的方法的流程图；以及

图4示出根据示例的存储器系统图。

现在将参照所示示范实施例，并且在本文中将使用特定语言描述示范实施例。然而，要理解的是，并不因此而要限制范围或特定发明实施例。

具体实施方式

在公开和描述本发明实施例之前，要理解的是，无意限制本文中公开的特定结构、过程步骤或材料，并且包括如相关领域技术人员将认识到的其等效物和备选。也应理解的是，本文中采用的术语只用于描述特定示例的目的，并且无意于限制。不同图形中的相同标号表示相同元素。流程图和过程中提供的数字提供用于清晰说明步骤和操作，并且不一定指示特定顺序或序列。

示例实施例

下面提供各种发明实施例的初始概述，并且随后在后面进一步详细描述特定实施例。虽然此初始摘要旨在帮助读者更快地理解本发明的原理和实施例，但它无意于识别其关键特征或必要特征。它也无意于限制要求保护的主题的范围。

在相变存储器单元中已观测到失败模式，其中，通过使用接近单元的现有Vth（阈值电压）的电压执行验证操作，单元可变得受干扰。在重置状态中时，如果验证操作的电压稍微低于单元的Vth，则由于单元未骤回(snap back)，因此，单元将通过重置验证。然而，验证操作本身能够促使单元Vth下降到设置状态。经验数据显示，此“干扰”（即，下降到设置状态或级别）以低概率随机发生，但此类事件的概率随在验证操作中应用的电压接近单元的现有Vth而呈指数性增大。由于单元通过验证但使操作处于失败状态，因此，即使单一验证操作可增大比特写入错误。进行第二验证操作可识别受第一验证操作干扰的比特，但也能具有干扰单元的可能性。

所述技术的实施例可执行两次验证操作以改进数据可靠性，并且可通过第二验证操作，避免干扰数据。写入比特错误率的降低可直接获得，而不是通过增大需要的比特数量以便改进ECC（纠错码）的准确度来获得。与增大比特的总数以补偿错误相比，执行第二验证可在成本方面更具时间和能量效率。执行第二验证操作要求的添加的电路可忽略不计。