[发明专利]利用电子碰撞电离的分析设备有效

专利信息
申请号: 201480009237.4 申请日: 2014-02-19
公开(公告)号: CN105051857B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 皮埃尔·沙恩 申请(专利权)人: 麦克斯国际有限公司
主分类号: H01J49/14 分类号: H01J49/14;H01J27/20
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 胡秋玲,郑霞
地址: 英国中*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 利用 电子 碰撞 电离 分析 设备
【权利要求书】:

1.一种分析设备,包括:

电子碰撞离子发生器,包括:

电子发射器;

电离目标区域,所述电离目标区域被布置为填充有将被电离的物质;以及

电子提取元件,所述电子提取元件与限定在所述电子发射器和所述电离目标区域之间的电子路径对齐;以及

电子聚焦装置;

其中,所述电子提取元件被配置为使电子沿着在所述电子发射器和所述电子提取元件之间的电子路径加速远离所述电子发射器,并使电子沿着在所述电子提取元件和所述电离目标区域之间的电子路径减速,以及所述电子聚焦装置被放置在所述电子发射器和所述电子提取元件之间,以将电子沿着电子路径聚焦到所述电子提取元件。

2.根据权利要求1所述的分析设备,其中,所述电子聚焦装置包括导电板,所述电子聚焦装置的导电板具有通过其延伸的、与所述电子路径对齐的聚焦孔,所述导电板在使用时是带负电的,以提供斥力来聚焦电子。

3.根据权利要求1所述的分析设备,其中,所述电子聚焦装置的至少一部分围绕所述电子发射器。

4.根据权利要求2所述的分析设备,其中,所述电子聚焦装置的至少一部分围绕所述电子发射器。

5.根据权利要求2或4所述的分析设备,其中,所述电子聚焦装置包括主体部分和从所述主体部分的表面在所述电子发射器的方向上延伸的壁部分,所述壁部分界定了具有向所述电子发射器延伸的远开口端和围绕所述聚焦孔的近开口端的外壳。

6.根据权利要求5所述的分析设备,其中,所述壁部分的所述远开口端实质上在至少一个平面中围绕所述电子发射器。

7.根据权利要求6所述的分析设备,其中,所述壁部分是管状部分,该管状部分具有界定了在所述远开口端和所述聚焦孔之间的通道的内壁表面。

8.根据权利要求1所述的分析设备,还包括电压电源,所述电压电源用于在所述电子发射器和所述电离目标区域之间生成正电位差以促使所发射的电子沿着所述电子路径向所述电离目标区域移动,并用于在所述电子发射器和所述电子提取元件之间创建正电位差,其中,在所述电子发射器和所述电子提取元件之间的所述正电位差比所述电子发射器与所述电离目标区域之间的所述正电位差大,使得电子在所述电子发射器和所述电子提取元件之间向着所述电子提取元件加速而在所述电子提取元件和所述电离目标区域之间减速。

9.根据权利要求8所述的分析设备,其中,所述电压电源被配置以在所述电子发射器和所述电离目标区域之间生成在5V和30V之间的电位差,以在所述电离目标区域生成5eV和30eV之间的电子能。

10.根据权利要求8所述的分析设备,其中,所述电压电源被配置以在所述电子发射器和所述电离目标区域之间生成在5V和25V之间的电位差,以在所述电离目标区域生成5eV和25eV之间的电子能。

11.根据权利要求9所述的分析设备,其中,所述电压电源被配置以在所述电子发射器和所述电离目标区域之间生成在5V和25V之间的电位差,以在所述电离目标区域生成5eV和25eV之间的电子能。

12.根据权利要求8到11中的任一项所述的分析设备,其中,所述电压电源被配置以在所述电子发射器和所述电离目标区域之间生成14V的电位差,以在所述电离目标区域生成14eV的电子能。

13.根据权利要求1-4和6-11中的任一项所述的分析设备,其中,所述电子提取元件包括导电板,所述电子提取元件的导电板具有穿过其形成的与所述电子路径对齐的至少一个提取孔,所述提取孔与所述电子路径对齐以允许电子通过所述提取孔。

14.根据权利要求5所述的分析设备,其中,所述电子提取元件包括导电板,所述电子提取元件的导电板具有穿过其形成的与所述电子路径对齐的至少一个提取孔,所述提取孔与所述电子路径对齐以允许电子通过所述提取孔。

15.根据权利要求12所述的分析设备,其中,所述电子提取元件包括导电板,所述电子提取元件的导电板具有穿过其形成的与所述电子路径对齐的至少一个提取孔,所述提取孔与所述电子路径对齐以允许电子通过所述提取孔。

16.根据权利要求13所述的分析设备,其中,所述电子提取元件包括界定了多个提取孔的网格结构。

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