[发明专利]用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材

权利要求书

1.一种用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的合金，其中

所述合金包含：

选自Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt中的一种以上；

选自Sc、Y、镧系元素即原子序数为57至71的元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W和B中的一种以上；和

余量的Co和Fe及不可避免的杂质；并且

按原子％计满足全部下式(a)至(d)：

(a)0.1％≤TCR≤8％；

(b)5％≤TAM≤25％；

(c)13％≤TCR/2+TAM+TNM≤25％；和

(d)0≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.80

在所述式(a)至(d)中

TCR＝Ru％+Rh％+Pd％+Re％+Os％+Ir％+Pt％；

TAM＝Sc％+Y％+镧系元素的合计％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+Mo％+W％+B％/2；且

TNM＝C％+Al％+Si％+P％+Cr％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Zn％+Ga％+Sn％。

2.根据权利要求1所述的合金，所述合金还包含选自C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga和Sn中的一种以上。

3.根据权利要求1所述的合金，其中

所述合金由以下各项组成：

选自Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt中的一种以上；

选自Sc、Y、镧系元素即原子序数为57至71的元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W和B中的一种以上；和

余量的Co和Fe及不可避免的杂质；并且

按原子％计满足全部下式(a)至(d)：

(a)0.1％≤TCR≤8％；

(b)5％≤TAM≤25％；

(c)13％≤TCR/2+TAM+TNM≤25％；和

(d)0≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.80

在所述式(a)至(d)中

TCR＝Ru％+Rh％+Pd％+Re％+Os％+Ir％+Pt％；

TAM＝Sc％+Y％+镧系元素的合计％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+Mo％+W％+B％/2；且

TNM＝C％+Al％+Si％+P％+Cr％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Zn％+Ga％+Sn％。

4.根据权利要求1所述的合金，其中

所述合金由以下各项组成：

选自Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt中的一种以上；

选自Sc、Y、镧系元素即原子序数为57至71的元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W和B中的一种以上；

选自C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga和Sn中的一种以上；和

余量的Co和Fe及不可避免的杂质；并且

按原子％计满足全部下式(a)至(d)：

(a)0.1％≤TCR≤8％；

(b)5％≤TAM≤25％；

(c)13％≤TCR/2+TAM+TNM≤25％；和

(d)0≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.80

在所述式(a)至(d)中

TCR＝Ru％+Rh％+Pd％+Re％+Os％+Ir％+Pt％；

TAM＝Sc％+Y％+镧系元素的合计％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+Mo％+W％+B％/2；且

TNM＝C％+Al％+Si％+P％+Cr％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Zn％+Ga％+Sn％。

5.一种包含根据权利要求1至4中任一项所述的用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的合金的溅射靶材。