[发明专利]低ESR电容器有效
申请号: | 201480009483.X | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN105074854B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 伦道夫·S·哈恩;杰弗里·波尔托拉克;布兰登·萨梅;安东尼·P·查科;约翰·T·基纳德;菲利普·M·莱斯纳 | 申请(专利权)人: | 凯米特电子公司 |
主分类号: | H01G9/012 | 分类号: | H01G9/012 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国南*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | esr 电容器 | ||
1.一种电容器,其包括:
槽形阳极和从所述槽形阳极延伸出来的阳极线;
位于所述槽形阳极上的电介质;以及
位于所述电介质上的共形阴极。
2.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于40微米的平均厚度。
3.如权利要求2所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于20微米的平均厚度。
4.如权利要求3所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于10微米的平均厚度。
5.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的50%的偏差。
6.如权利要求5所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的40%的偏差。
7.如权利要求6所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的30%的偏差。
8.如权利要求7所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的20%的偏差。
9.如权利要求8所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的10%的偏差。
10.如权利要求1所述的电容器,还包括位于所述共形阴极上的电镀金属层。
11.如权利要求10所述的电容器,其中所述电镀金属层包括从如下组中选择的材料:铜、银、镍和金。
12.如权利要求11所述的电容器,其中所述电镀金属层包括铜。
13.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极还包括第一导电层。
14.如权利要求13所述的电容器,其中所述第一导电层包括从MnO2和导电聚合物中选出的导电层。
15.如权利要求14所述的电容器,其中所述导电聚合物选自于如下组:聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。
16.如权利要求15所述的电容器,其中所述导电聚合物包括聚二氧噻吩。
17.如权利要求1所述的电容器,其中所述阳极包括阀金属或阀金属的导电氧化物。
18.如权利要求17所述的电容器,其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物包括选自于如下组的材料:Al、W、Ta、Nb、NbO、Ti、Zr和Hf。
19.如权利要求18所述的电容器,其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物从钽和铌中选出。
20.如权利要求1所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.022英寸的宽度。
21.如权利要求20所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.019英寸的宽度。
22.如权利要求21所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.016英寸的宽度。
23.如权利要求22所述的电容器,其中所述槽具有至少0.004英寸的宽度。
24.如权利要求1所述的电容器,其中所述槽的深度与宽度的比值至少为0.60:1。
25.如权利要求1所述的电容器,还包括位于所述共形阴极上的含碳层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯米特电子公司,未经凯米特电子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480009483.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:中厚板不清根对接全熔透I级构件的过渡结构
- 下一篇:一种激光抛光设备