[发明专利]三维存储器的互连

权利要求书

1.一种用于三维存储器的互连的设备，其包括：

材料堆叠，其包含多个材料对，材料对包含形成于绝缘材料上方的导电线，所述材料堆叠具有形成于在第一方向上延伸的一个边缘处的阶梯结构，阶梯包含所述材料对中的一者；

第一互连，其耦合到阶梯的所述导电线，所述第一互连在实质上垂直于所述阶梯的第一表面的第二方向上延伸；

第二互连，其耦合到所述第一互连，所述第二互连在实质上垂直于所述第一方向及所述第二方向两者的第三方向上延伸，其中所述第二互连实质上平行于位线；以及

第三互连，其耦合到所述第二互连，所述第三互连在与所述第二方向相反的方向上延伸，所述第三互连与所述第一互连实质上平行。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二互连未延伸超过在一个侧上由所述材料堆叠定界且在第二侧上由所述阶梯结构定界的矩形区域。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三互连延伸到低于所述材料堆叠的高度。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括耦合到所述第三互连的第四互连，所述第四互连在所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括耦合到所述第三互连的第四互连，所述第四互连在与所述第一方向相反的方向上延伸。

6.根据权利要求4或5所述的设备，其中所述第四互连在所述材料堆叠下方延伸。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二互连经布置使得所述第二互连的间距与所述材料堆叠在所述第二方向上的宽度无关。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料堆叠在垂直于所述第一方向的方向上具有第一宽度，且所述阶梯结构在垂直于所述第一方向的方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述阶梯结构的阶梯在所述第一方向上延伸与所述第二互连的间距相应的长度。

10.一种形成存储器的方法，其包括：

形成材料对堆叠，所述材料对包含形成于绝缘材料上方的导电线，所述导电线在第一方向上具有最长尺寸，所述材料对堆叠具有宽的宽度部分及窄的宽度部分；

在所述材料对堆叠的一个边缘上形成阶梯结构；

在阶梯处形成耦合到所述导电线的递升互连，所述递升互连在实质上垂直于所述阶梯结构的第一表面的第二方向上延伸；

形成耦合到所述递升互连的顶部平面互连，所述顶部平面互连在不同于所述第一方向的方向上具有最长尺寸且实质上平行于位线；及

形成耦合到所述顶部平面互连的递降互连，所述递降互连在实质上平行于所述第一方向的方向上延伸。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括形成耦合到所述递降互连的底部平面互连，其中所述底部平面互连在所述第一方向上具有最长尺寸。

12.根据权利要求11所述的方法，其中第一底部平面互连在第一径向方向上从递降互连延伸，且第二底部平面互连在第二径向方向上从递降互连延伸，所述第二径向方向不同于所述第一径向方向。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二径向方向是与所述第一径向方向相反的径向方向。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述底部平面互连在所述第一方向上具有最长尺寸。

15.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述材料对堆叠包含在相邻于所述宽的宽度部分及所述窄的宽度部分的区域中移除所述材料对堆叠的部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其中移除所述材料对堆叠的所述部分发生在形成所述阶梯结构之后，所述区域包括所述阶梯结构的一部分。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述递降互连在所述区域内通过。