[发明专利]成膜方法和成膜系统有效
申请号: | 201480009698.1 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN105074883B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 志村悟;岩尾文子;吉原孝介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/31;H01L21/321;H01L21/768 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,吕秀平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 计算机 存储 介质 系统 | ||
1.一种成膜方法,其在表面形成有图案的基板上形成有机膜,该成膜方法的特征在于,包括:
在基板上涂布有机材料的涂布处理工序;
此后,对所述有机材料进行热处理,在基板上形成有机膜的热处理工序;和
此后,对所述有机膜进行紫外线照射处理,将该有机膜的表面除去至规定的深度的紫外线照射工序,
将所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序分别以所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序的顺序进行多次,
至少在最后之前进行的所述紫外线照射工序中,除去所述有机膜的表面直至所述图案的表面露出。
2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述紫外线照射工序中,一边对所述有机膜进行热处理,一边进行所述紫外线照射处理。
3.如权利要求2所述的成膜方法,其特征在于:
所述紫外线照射工序中的所述热处理是将基板载置于热处理板而进行的。
4.如权利要求3所述的成膜方法,其特征在于:
所述热处理板设置多个,以分别不同的温度进行所述紫外线照射工序中的所述热处理。
5.如权利要求2所述的成膜方法,其特征在于:
所述紫外线照射工序中的所述热处理通过来自光源的照射光而进行。
6.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述紫外线照射工序中,至少控制处理气氛的氧浓度、紫外线的照度或紫外线的照射时间。
7.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
在所述紫外线照射工序后,还具有测定所述有机膜的膜厚的膜厚测定工序,
基于所述膜厚测定工序中的测定结果,修正所述紫外线照射工序的处理条件。
8.一种成膜系统,其在表面形成有图案的基板上形成有机膜,该成膜系统的特征在于,具有:
在基板上涂布处理有机材料的涂布处理部;
对所述有机材料进行热处理,在基板上形成有机膜的热处理部;
对所述有机膜进行紫外线照射处理的紫外线照射部;和
控制部,控制所述涂布处理部、所述热处理部和所述紫外线照射部,使得所述涂布处理、所述热处理和所述紫外线照射处理以所述涂布处理、所述热处理和所述紫外线照射处理的顺序进行,在所述紫外线照射处理中将所述有机膜的表面除去至规定的深度,
所述控制部控制所述涂布处理部、所述热处理部和所述紫外线照射部,使得所述涂布处理、所述热处理和所述紫外线照射处理分别以所述涂布处理、所述热处理和所述紫外线照射处理的顺序进行多次,至少在最后之前进行的所述紫外线照射处理中,除去所述有机膜的表面直至所述图案的表面露出。
9.如权利要求8所述的成膜系统,其特征在于:
还具有在进行所述紫外线照射处理时对该有机膜进行热处理的其他热处理部。
10.如权利要求9所述的成膜系统,其特征在于:
所述其他热处理部具有载置基板并进行热处理的热处理板。
11.如权利要求10所述的成膜系统,其特征在于:
所述热处理板设置多个,以分别不同的温度进行热处理。
12.如权利要求9所述的成膜系统,其特征在于:
所述其他热处理部具有对所述有机膜照射照射光的光源。
13.如权利要求8所述的成膜系统,其特征在于:
所述热处理部和所述紫外线照射部设置于同一装置内,
在该装置内,设置有在所述热处理部和所述紫外线照射部之间自由移动且保持基板并保温的保温件。
14.如权利要求8所述的成膜系统,其特征在于:
所述控制部在所述紫外线照射处理中至少控制处理气氛的氧浓度、紫外线的照度或紫外线的照射时间。
15.如权利要求8所述的成膜系统,其特征在于:
还具有测定进行了所述紫外线照射处理的所述有机膜的膜厚的膜厚测定部,
所述控制部基于所述膜厚测定部得到的测定结果,修正所述紫外线照射处理的处理条件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造