[发明专利]第Ⅲ族金属的芳氧基-酞菁

权利要求书

1.一种具有通用结构(I)的化合物：

其中M包括铝、镓、铟或其组合；

其中“n”是等于或大于0的整数；

其中每个R₁可独立地包括直链烷基基团、带有支链的烷基基团、环烷基基团、烯基基团、炔基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、杂环基团、单环芳族基团、多环芳族基团、芳基基团、烷基芳基基团、芳基烷基基团、亚烷基基团、氢、卤素或其组合；

其中R₂可包括包含大于或等于约6至约22个碳原子的任选地经取代的含芳基基团，其中所述含芳基基团若经取代则可在一个或更多个位置处被一个或更多个包括卤素、氧、硫、氮或其组合的相同或不同杂原子取代。

2.权利要求1所述的化合物，其中n是约0至约4。

3.权利要求1所述的化合物，其中R₂包括包含大于或等于约6至约18个碳原子的任选地经取代的含芳基基团，其中若经取代，则可在一个或更多个位置处被一个或更多个相同或不同杂原子取代。

4.权利要求1所述的化合物，其中R₂不包含金属。

5.权利要求1所述的化合物，其中R₂不包含杂原子作为桥接基团。

6.权利要求1所述的化合物，其中R₂包含卤素，所述卤素包括氟、氯、溴、碘或其组合。

7.权利要求6所述的化合物，其中R₂不包含氯。

8.权利要求6所述的化合物，其中R₂包含氯，且其中所述含芳基基团，若经取代，则不能在对位处被取代。

9.权利要求6所述的化合物，其中R₂包含氯，且其中所述含芳基基团，若经取代，则是在一个或更多个邻位处被取代。

10.一种用于制备具有通用分子结构(I)的化合物的方法，其包括以下步骤：

a)提供包含含有卤素-金属键的经R₁取代的酞菁前体的化合物，其中所述卤素包括氯、溴、碘、氟或其组合，且其中每个R₁独立地包括直链烷基基团、带有支链的烷基基团、环烷基基团、烯基基团、炔基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、杂环基团、单环芳族基团、多环芳族基团、芳基基团、烷基芳基基团、芳基烷基基团、亚烷基基团、氢、卤素或其组合；

b)提供包含任选地经取代的芳基(-R₂)和/或任选地经取代的芳基醇基团(OH-R₂)的反应物，其中R₂包含大于或等于约6至约22个碳原子，

c)在有机溶剂存在下在有效形成所述具有通用分子结构(I)的化合物的条件下使包含含有卤素-金属键的酞菁前体的化合物与所述反应物反应，其中所述具有通用分子结构(I)的化合物在有机溶剂中不溶、微溶、部分地可溶，或在有机溶剂中至少部分地可溶。

11.权利要求10所述的方法，其中所述反应物包含任选地经取代的芳基(-R₂)或任选地经取代的芳基醇基团(OH-R₂)，其中R₂包含大于或等于约6至约18个碳原子。

12.权利要求10所述的方法，其中所述有机溶剂包括甲苯、二甲基亚砜、二氯甲烷。

13.一种光伏电池，其包含具有通用分子结构(I)的化合物

其中M包括铝、镓、铟或其组合；

其中“n”是等于或大于0的整数；

其中每个R₁可独立地包括直链烷基基团、带有支链的烷基基团、环烷基基团、烯基基团、炔基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、杂环基团、单环芳族基团、多环芳族基团、芳基基团、烷基芳基基团、芳基烷基基团、亚烷基基团、氢、卤素或其组合；

其中R₂可包括包含大于或等于约6至约22个碳原子的任选地经取代的含芳基基团，其中所述含芳基基团，若经取代，则可在一个或更多个位置处被一个或更多个包括卤素、氧、硫、氮或其组合的相同或不同杂原子取代。