[发明专利]具有带有耦合段的孔布置的多模式滤波器在审
申请号: | 201480009835.1 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN104995786A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | P.B.科宁格顿;D.R.亨德里;S.J.库珀 | 申请(专利权)人: | 梅萨普莱克斯私人有限公司 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208;H01P7/06;H01P7/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;胡莉莉 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 带有 耦合 布置 模式 滤波器 | ||
1. 一种多模式滤波器,包括:
包括电介质材料的片段的谐振器主体,谐振器主体被配置成支持第一谐振模式和第二谐振模式,谐振器主体具有导电材料的覆盖物,其中覆盖物被提供有耦合孔布置,所述耦合孔布置包括:
第一耦合段和第二耦合段,其中第一耦合段被配置成将第一磁场或第一电场耦合到谐振器主体内的第一谐振模式或第二谐振模式,并且第二耦合段被配置成将第二磁场或第二电场耦合到谐振器主体内的第一谐振模式或第二谐振模式。
2. 根据权利要求1的多模式滤波器,其中第二磁场或第二电场具有使得第二磁场或第二电场部分地抵消由于第一电场或第一磁场所致的耦合的大小和方向。
3. 根据权利要求1或权利要求2的多模式滤波器,其中第一耦合段定位在其中第一磁场或第一电场耦合到的谐振模式具有第一方向的第一定位处,并且第二耦合段定位在其中第二磁场或第二电场耦合到的谐振模式与第一磁场或第一电场耦合到的谐振模式相同并且具有与第一方向相反的第二方向的第二定位处。
4. 根据权利要求3的多模式滤波器,其中第二磁场或第二电场到谐振模式的耦合与第一磁场或第一电场到谐振模式的耦合相组合以影响到所述谐振模式的总耦合。
5. 根据权利要求4的多模式滤波器,其中第二磁场或第二电场到谐振模式的耦合部分地抵消第一磁场或第一电场到谐振模式的耦合。
6. 根据权利要求1或权利要求2的多模式滤波器,其中耦合孔布置包括基本上平行于谐振器主体的表面延伸的第一部分和基本上垂直于第一部分延伸的第二部分。
7. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中耦合孔布置被定位成靠近谐振器主体的边缘。
8. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中第一耦合段和第二耦合段被定位在谐振器主体的面上。
9. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中第一耦合段和第二耦合段被定位在谐振器主体的面的竖直相对的半部内。
10. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中第一耦合段和第二耦合段被定位在谐振器主体的面的水平相对的半部内。
11. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中耦合孔布置包括被定位成使得其一部分覆盖谐振器主体的面的中心的孔。
12. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中耦合孔布置包括第一分支和第二分支,其中第一分支主要用于耦合到所述模式中的一个并且第二分支主要用于耦合到所述模式中的另一个。
13. 根据权利要求12的多模式滤波器,其中第一部分被取向成使得通过第一部分耦合的磁场和电场中的至少一个与第一模式的相应磁场或电场基本上对齐。
14. 根据权利要求12或权利要求13的多模式滤波器,其中第二部分被取向成使得通过第二部分耦合的磁场和电场中的至少一个与第二模式的相应磁场或电场基本上对齐。
15. 根据权利要求12至14中任一个的多模式滤波器,其中第一部分包括第一直细长孔并且第二部分包括基本上正交于第一直细长孔布置的第二直细长孔。
16. 根据权利要求15的多模式滤波器,其中第二部分与第一部分相交。
17. 根据权利要求12至16中任一个的多模式滤波器,其中谐振器主体还被配置成支持第三谐振模式,其中第一、第二和第三谐振模式相互正交,其中第一分支主要用于耦合到第一和第三模式,并且其中第二分支主要用于耦合到第二和第三模式。
18. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中耦合孔布置包括用于同时耦合到第一和第二模式的部分。
19. 根据权利要求18的多模式滤波器,其中用于同时耦合到第一和第二模式的部分包括以使得由所述部分生成的磁场和电场中的至少一个具有与第一模式的相应磁场或电场对齐的第一笛卡尔分量和与第二模式的相应磁场或电场对齐的第二笛卡尔分量的角度而取向的细长孔。
20. 根据前述权利要求中任一个的多模式滤波器,其中耦合孔布置由覆盖物中的没有导电材料的区域形成。
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