[发明专利]多模式腔体滤波器和为此的激励设备

权利要求书

1. 一种多模式腔体滤波器，包括：

并入电介质材料的片段的第一电介质谐振器主体，所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少第一谐振模式和至少第二大幅退化的谐振模式的形状；

并入电介质材料的片段的第二电介质谐振器主体，所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少一个谐振模式的形状；

用于以下中的至少一个的激励设备：

　　在第二电介质谐振器主体的面外部但是与其紧接相邻地建立电磁场以及

　　从位于第二电介质谐振器主体的面外部但是与其紧接相邻的电磁场提取能量；

与第一和第二电介质谐振器主体接触并且覆盖第一和第二电介质谐振器主体并且沿第一和第二电介质谐振器主体之间的界面延伸的导电材料层；以及

在所述界面处的导电材料层中的至少一个孔，用于在第一电介质谐振器主体和第二电介质谐振器主体之间传递信号，

其中激励设备在至少两个维度上位于针对具有比所述第一和第二谐振模式更高阶的一个或多个模式的、靠近第二电介质谐振器主体的至少一个面或在所述至少一个面上存在的电场中的零位处。

2. 如权利要求1中要求保护的多模式腔体滤波器，其中面是矩形或方形。

3. 如权利要求2中要求保护的多模式腔体滤波器，其中第一和第二谐振器主体是矩形体。

4. 如前述权利要求中任一个中要求保护的多模式腔体滤波器，其中第一和第二电介质谐振器主体之间的界面与第二电介质谐振器主体的另一不同面重合。

5. 如权利要求4中要求保护的多模式腔体滤波器，其中所述另一面与在该处激励设备建立电磁场或从电磁场提取能量的面相对。

6. 如权利要求4或5中要求保护的多模式腔体滤波器，其中所述至少一个孔关于所述另一面的几何中心不均匀地分布。

7. 如权利要求6中要求保护的多模式腔体滤波器，其中激励设备在至少两个维度上位于从几何中心移开的位置处。

8. 如权利要求1-5中任一项中要求保护的多模式腔体滤波器，其中激励设备在至少两个维度上位于激励设备建立电磁场或从电磁场提取能量所在的第二电介质谐振器主体的面的几何中心处。

9. 如前述权利要求中任一个中要求保护的多模式腔体滤波器，其中激励设备为以下中的一个：探针，贴片元件和谐振线或轨道。

10. 如前述权利要求中任一个中要求保护的多模式腔体滤波器，其中激励设备定位成远离第二电介质谐振器主体的电介质材料，触碰第二电介质谐振器主体的电介质材料的表面，或者穿透到第二电介质谐振器主体的电介质材料中。

11. 如前述权利要求中任一个中要求保护的多模式腔体滤波器，其中所述至少一个孔被布置用于以下中的至少一个：并行地直接将信号耦合到第一和第二谐振模式和并行地从第一和第二谐振模式直接耦合信号。

12. 根据前述权利要求中任一个的多模式腔体滤波器，其中界面处的至少一个孔沿着与第一和第二模式中的一个的磁场平行的轴伸长。

13. 根据权利要求12的多模式腔体滤波器，其中界面处的至少第一孔沿着与第一模式的磁场平行的第一轴伸长，并且界面处的第二孔沿着与第二模式的磁场平行的第二轴伸长。

14. 根据前述权利要求中任一个的多模式腔体滤波器，其中界面处的至少一个孔沿着与所述第一和第二模式中任一个的磁场不平行和不垂直的轴伸长。

15. 根据前述权利要求中任一个的多模式腔体滤波器，其中由第二电介质谐振器主体支持的至少一个谐振模式不同于由第一电介质谐振器主体支持的第一和第二谐振模式。

16. 根据前述权利要求中任一个的多模式腔体滤波器，其中第一和第二谐振模式二者都是基本谐振模式。

17. 根据前述权利要求中任一个的多模式腔体滤波器，其中第一和第二谐振模式为n阶的，其中n为大于或等于一的整数，并且其中具有较高阶的一个或多个模式至少包括（n+1）阶模式。