[发明专利]用于三维图案形成装置的光刻模型

权利要求书

1.一种计算机执行方法，用于模拟在光刻投影设备中包括一个或更多个特征的图案形成装置的散射辐射场，所述方法包括：

使用所述一个或更多个特征的特征元素的一个或更多个散射函数确定所述图案形成装置的散射函数；

其中所述一个或更多个散射函数表征在所述特征元素上多个入射角的入射辐射场的散射，且

其中所述方法还包括选择在图案形成装置和投影光学装置之间的光刻投影设备的光路上的平面作为投影光学装置的物面，使得全局图案偏移基本为零。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述散射辐射场由被图案形成装置散射的倾斜的入射辐射场产生。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征元素从由边、区域、角、邻近角、邻近边以及它们的组合构成的组中选择。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用严格求解器计算所述一个或更多个散射函数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个散射函数表征从阴影效应、依赖图案的最佳聚焦偏移、图案偏移以及它们的组合构成的组中选择的效应。

6.根据权利要求5所述的方法，其中阴影效应是非对称的。

7.根据权利要求5所述的方法，其中图案偏移包括全局图案偏移和依赖图案的图案偏移。

8.根据权利要求5所述的方法，其中图案偏移由在图案形成装置上不同位置处的入射辐射场具有不同的入射角引起。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个散射函数表征在所述一个或更多个特征之中的二次散射。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个散射函数被编译在库中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中图案形成装置的散射函数通过对特征元素的一个或更多个散射函数与和图案形成装置上的特征元素的位置有关的一个或更多个滤波器函数的乘积或卷积求和来计算。

12.根据权利要求1或2所述的方法，还包括计算抗蚀剂图像。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述一个或更多个滤波器函数为光刻投影设备中的源的狭缝位置的函数。

14.一种用于模拟在光刻投影设备中包括一个或更多个特征的图案形成装置的散射辐射场的装置，所述装置包括：

用于使用所述一个或更多个特征的特征元素的一个或更多个散射函数确定所述图案形成装置的散射函数的装置；

其中所述一个或更多个散射函数表征在所述特征元素上多个入射角的入射辐射场的散射，且

其中所述用于模拟在光刻投影设备中包括一个或更多个特征的图案形成装置的散射辐射场的装置还包括选择在图案形成装置和投影光学装置之间的光刻投影设备的光路上的平面作为投影光学装置的物面以使得全局图案偏移基本为零的装置。