[发明专利]保护膜形成用膜有效
| 申请号： | 201480010200.3 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105009277B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山本大辅;高野健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;B32B27/30;C08J5/18;C08L33/00;C08L63/00;C23C26/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
1.一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，
所述保护膜形成用膜由树脂层α和树脂层β叠层而成，所述树脂层α含有(A1)丙烯酸类聚合物和(B1)环氧类固化性成分，所述树脂层β含有(A2)聚合物、(B2)环氧类固化性成分、(D2)着色剂和(E2)填充材料，所述(A2)聚合物是不同于(A1)丙烯酸类聚合物的聚合物，
构成(A1)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A1)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，
按照JIS Z 8741测定的所述树脂层β的表面固化后的光泽值为20以上。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，(A2)聚合物为(A2-1)丙烯酸类聚合物，
(A2-1)丙烯酸类聚合物以高于构成该聚合物的全部单体的8质量％的比例包含含有环氧基团的单体、或者其玻璃化转变温度低于-3℃。
3.根据权利要求1所述的保护膜形成用膜，其中，(E2)填充材料的平均粒径为1～5μm。
4.根据权利要求2所述的保护膜形成用膜，其中，(E2)填充材料的平均粒径为1～5μm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用膜，其中，(E2)填充材料在树脂层β中的含有率为20质量％以上。
6.一种带有保护膜的芯片，其具备半导体芯片、和设置在所述半导体芯片上的保护膜，其中，
所述保护膜是使保护膜形成用膜固化而形成的，
所述保护膜形成用膜由树脂层α和树脂层β叠层而成，所述树脂层α含有(A1)丙烯酸类聚合物和(B1)环氧类固化性成分，所述树脂层β含有(A2)聚合物、(B2)环氧类固化性成分、(D2)着色剂和(E2)填充材料，所述(A2)聚合物是不同于(A1)丙烯酸类聚合物的聚合物，
构成(A1)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A1)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，
按照JIS Z 8741测定的所述树脂层β的表面固化后的光泽值为20以上。
7.一种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括：
将半导体晶片分割成多个芯片的工序；
将保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜粘贴在所述半导体晶片或由多个芯片形成的芯片组上的工序，所述保护膜形成用复合片是在支撑片上能够剥离地形成权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用膜而得到的；
将所述保护膜形成用复合片中的支撑片从所述保护膜形成用膜上剥离的工序；以及
将所述保护膜形成用膜热固化的工序，
其中，在将保护膜形成用复合片中的支撑片从保护膜形成用膜上剥离的工序之后，进行将保护膜形成用膜热固化的工序。
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