[发明专利]基板处理装置、掩模设置方法、膜形成装置及膜形成方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置具有掩模，该掩模配置在基板的附近且具有规定的开口图案，

所述掩模构成为：在所述掩模的端部附近被支承的状态下，所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为所述基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述基板处理装置还具有吸附台，所述吸附台具有吸附部，该吸附部对所述基板的与所述掩模相反侧的表面进行吸附，

所述吸附台的所述吸附部构成为：在使所述基板以具有所述第2挠曲变形量的方式挠曲的状态下吸附并维持所述基板。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述吸附台的所述吸附部的表面具有与所述基板的第2挠曲变形量对应的挠曲形状。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述掩模以如下的方式构成：当所述掩模在所述掩模的端部附近被支承的状态下以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动时，伴随着所述掩模对所述基板的紧贴状态的推进，所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态。

5.一种掩模的设置方法，其特征在于，具有如下的步骤：

对具有规定的开口图案的掩模的端部附近进行支承，使所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小；以及

在对所述掩模的端部附近进行支承的状态下使所述掩模以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动，使所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态。

6.一种膜形成装置，其特征在于，

该膜形成装置具有：

喷嘴，其在对溶液材料施加了规定的电压的状态下进行喷雾而在位于上方的挠曲变形后的基板上堆积薄膜；以及

掩模，其配置在所述喷嘴与所述基板之间且配置在所述基板的附近，并具有规定的开口图案，

所述掩模构成为：在所述掩模的端部附近被支承的状态下，所述掩模向下方的第1挠曲变形量成为所述基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小。

7.根据权利要求6所述的膜形成装置，其中，

所述喷嘴构成为：该喷嘴按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以该喷嘴与所述基板之间的间隔相互大致相等的方式相对于所述基板相对地移动而进行涂布动作。

8.根据权利要求7所述的膜形成装置，其中，

所述喷嘴构成为：该喷嘴一边按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以相对于所述基板大致垂直的方式改变角度，一边相对于所述基板相对地移动。

9.根据权利要求7或8所述的膜形成装置，其中，

所述膜形成装置还具有包含吸附部的吸附台，所述吸附部对所述基板的与被涂布所述涂布液的一侧相反侧的表面进行吸附，并且该吸附部将所述基板维持为规定的挠曲变形形状，

所述喷嘴构成为：在所述基板被所述吸附台的所述吸附部吸附的状态下，该喷嘴按照沿着所述基板的挠曲变形形状的轨迹相对于所述吸附台相对地移动而进行涂布动作。

10.根据权利要求9所述的膜形成装置，其中，

所述吸附台的吸附部的表面具有与所述基板的规定的挠曲变形形状对应的挠曲形状，

所述喷嘴构成为：在所述基板被吸附于所述吸附台的吸附部的状态下，该喷嘴按照沿着所述挠曲形状的轨迹相对于所述吸附台相对地移动而进行涂布动作。

11.根据权利要求9或10所述的膜形成装置，其中，

该膜形成装置构成为：所述吸附台相对于所述喷嘴至少在水平方向和铅直方向上移动，从而所述喷嘴相对于所述吸附台相对地移动。

12.根据权利要求9至11中的任意一项所述的膜形成装置，其中，

该膜形成装置构成为：所述吸附台相对于所述喷嘴不仅在水平方向和铅直方向上移动还在旋转方向上移动，从而所述喷嘴相对于所述吸附台相对地移动。

13.一种膜形成方法，其特征在于，

该膜形成方法具有如下的步骤：

以使具有规定的开口图案的掩模向下方的第1挠曲变形量成为基板向下方的第2挠曲变形量以下的大小的方式，对所述掩模的端部附近进行支承；

在已对所述掩模的端部附近进行支承的状态下使所述掩模以与所述基板紧贴的方式相对于所述基板相对地移动，使所述掩模从具有所述第1挠曲变形量的状态变化到具有所述第2挠曲变形量的状态；以及

利用喷嘴对挠曲变形后的状态的所述基板涂布涂布液，

利用喷嘴涂布涂布液的步骤包含如下的步骤：按照沿着所述基板的挠曲变形后的形状的轨迹、以使所述基板与所述喷嘴之间的间隔相互大致相等的方式相对于所述基板相对地移动所述喷嘴而进行涂布动作。