[发明专利]基板上三维结构的层的含NH3等离子体氮化有效
| 申请号： | 201480010437.1 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105009259B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 特里萨·克莱默·瓜里尼;刘炜 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板上 三维 结构 nh sub 等离子体 氮化 | ||
1.一种形成含氮层的方法，所述方法包括：
把基板放到处理腔室的基板支撑件上，所述基板具有设置在上面的第一层；
将所述基板加热至第一温度；和
使所述第一层暴露于RF等离子体，所述RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将所述第一层转化成所述含氮层，其中所述RF等离子体具有小于8eV的离子能量。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层是3维结构。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述RF等离子体具有小于4eV的离子能量。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体包括稀有气体。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述工艺气体按总气体流量计为包括0.5％至99.5％的氨(NH3)，且剩余部分为稀有气体。
6.如权利要求4所述的方法，其中所述稀有气体是氩。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述氨(NH3)的流量为15sccm至500sccm。
8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述第一温度是250摄氏度至500摄氏度。
9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，进一步包括：使所述第一层暴露于射频(RF)等离子体，同时使所述处理腔室维持在5毫托至500毫托的压力。
10.如权利要求1至6中任一项所述的方法，进一步包括：利用脉冲式RF功率源形成RF等离子体，所述脉冲式RF功率源具有13.56MHz的频率。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述脉冲式RF功率源供应高达2000瓦的功率，且占空比至多为30％。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述脉冲式RF功率源是在5％至10％的占空比下供应功率。
13.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述第一层包括半导体材料、金属或金属氧化物。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层是硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、III-V族化合物、钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)或氮化钽(TaN)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)。
15.一种非瞬时计算机可读介质，所述非瞬时计算机可读介质具有存储在上面的多个指令，在执行所述指令时，使得处理腔室执行形成含氮层的方法，所述方法包括：
把基板放到处理腔室的基板支撑件上，所述基板具有设置在上面的第一层；
将所述基板加热至第一温度；和
使所述第一层暴露于RF等离子体，所述RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将所述第一层转化成所述含氮层，其中所述RF等离子体具有小于8eV的离子能量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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