[发明专利]自行定心处理屏蔽件

权利要求书

1.一种用于在基板处理腔室中使用的处理屏蔽件，所述基板处理腔室具有腔室盖，所述腔室盖包含耦接至所述腔室盖的靶，所述处理屏蔽件包含：

伸长环形主体，所述伸长环形主体具有外表面和内表面，所述内表面界定所述主体的中央开口；

唇，所述唇自所述主体的第一端附近的所述主体的所述外表面向外径向延伸，以使得所述主体的第一部分向所述第一端延伸超过所述唇；

多个开口，所述多个开口位于所述唇中；和

销，所述销设置于所述多个开口的至少三个的每一者中并从所述唇突出，以在所述腔室盖置放于所述处理屏蔽件的顶部时，使所述靶对准于所述处理屏蔽件的顶部上，其中第一销的中心位于与第二销的中心成约115度的位置，所述第二销的所述中心位于与第三销的中心成约115度的位置，且所述第一销的所述中心位于与所述第三销的所述中心成约130度的位置。

2.如权利要求1所述的处理屏蔽件，其中位于所述第一端附近的所述主体的所述内表面围绕所述靶设置，且与所述靶间隔第一距离。

3.如权利要求2所述的处理屏蔽件，其中当所述腔室盖呈弧形旋转至所述处理屏蔽件上时，位于所述第一端附近的所述主体的所述内表面配置为避免接触所述靶。

4.如权利要求1所述的处理屏蔽件，其中所述多个开口为三个开口。

5.如权利要求1所述的处理屏蔽件，其中在所述第三销啮合所述靶之前，所述第一销和所述第二销先啮合所述靶。

6.如权利要求5所述的处理屏蔽件，其中所述第一销、所述第二销和所述第三销啮合所述靶，以使所述靶的外缘对准为与所述主体的内表面相距第一距离。

7.如权利要求1至6的任一项所述的处理屏蔽件，其中无法将每一销从所述多个开口的每一者移除。

8.如权利要求1至6的任一项所述的处理屏蔽件，其中每一销为陶瓷的。

9.一种基板处理腔室，所述基板处理腔室包含：

腔室主体；

腔室盖，所述腔室盖设置于所述腔室主体的顶部上，其中所述腔室盖包含旋转轴，所述旋转轴配置将所述腔室盖旋转至所述腔室主体上；

靶组件，所述靶组件设置于所述腔室盖的内部，其中所述靶组件包含耦接至背板的靶材料；和

处理屏蔽件，所述处理屏蔽件设置于所述腔室主体内，且位于所述靶组件之下，所述处理屏蔽件包含：

伸长环形主体，所述伸长环形主体具有外表面和内表面，所述内表面界定所述主体的中央开口；

唇，所述唇自所述主体的第一端附近的所述主体的所述外表面向外径向延伸，以使得所述主体的第一部分向所述第一端延伸超过所述唇；

多个开口，所述多个开口位于所述唇中；和

销，所述销设置于所述多个开口的至少三个的每一者中并从所述唇突出，以在所述腔室盖置放于所述处理屏蔽件的顶部上时，使所述靶组件对准于所述处理屏蔽件顶部上，其中第一销的中心位于与第二销的中心成约115度的位置，所述第二销的所述中心位于与第三销的中心成约115度的位置，且所述第一销的所述中心位于与所述第三销的所述中心成约130度的位置，其中，所述销包含伸长主体，所述伸长主体具有：第一表面，所述第一表面具有斜的周缘，其中所述第一表面具有第一直径；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，其中所述第二表面具有第二直径；和侧壁，所述侧壁位于所述第一表面与所述第二表面之间，其中所述侧壁具有凹面部分，所述凹面部分具有第三直径。

10.如权利要求9所述的基板处理腔室，其中所述唇由所述处理腔室的第一支撑构件支撑，以支撑所述腔室主体内的所述处理屏蔽件。

11.如权利要求9所述的基板处理腔室，其中所述旋转轴配置为呈弧形将所述腔室盖旋转至腔室主体上。

12.如权利要求9至11的任一项所述的基板处理腔室，其中位于所述第一端附近的所述主体的所述内表面围绕所述靶材料设置，且与所述靶材料间隔第一距离，并且其中当所述靶组件旋转至所述处理屏蔽件上时，所述第一端附近的所述主体的所述内表面避免与所述靶材料接触。

13.如权利要求9至11的任一项所述的基板处理腔室，其中所述多个开口为三个开口，每一开口具有销设置于所述开口中。

14.如权利要求13所述的基板处理腔室，其中所述第一销和所述第二销比所述第三销距离所述旋转轴更近，且其中在所述第三销啮合所述靶组件之前，所述第一销和所述第二销先啮合所述靶组件。