[发明专利]径向相关热学阻热器层

说明书

相关申请的交叉引用

本申请是基于在2013年3月12号提交的，名为“A Radially Dependent Thermal Heat Resistor Layer(径向相关热学阻热器层)”，第一发明人为Renévan de Veerdonk的美国临时专利申请S/N：61/778,370。

附图说明

图1示出一个实施例的径向相关热学阻热器层的概览的框图。

图2仅出于说明性目的示出一个实施例的厚度梯度散热层的示例。

图3仅出于说明性目的示出一个实施例的径向相关热学阻热器层结构的示例。

图4A仅出于说明性目的示出一个实施例的厚度梯度散热层沉积的示例。

图4B仅出于说明性目的示出一个实施例的非磁性热抗蚀剂层沉积的示例。

具体实施方式

在以下描述中，对附图作出了参考，附图构成了示例的一部分且在其中作为示例示出了可实践本发明的具体示例。要理解，可应用其它实施例并作出结构改变而不脱离本发明的范围。

概览：

应当注意，接下来的描述，例如，就径向相关热学阻热器层而言是出于说明性目的来描述的并且下面的系统能应用于任意数量和多种类型的溅射源。在本发明的一个实施例中，可在介质表面的径向上使用故意的变化来配置径向相关热学阻热器层。使用本发明，径向相关热学阻热器层可被配置为包括渐变的阻热器层并且可被配置为包括在盘的半径上的厚度和/或成分梯度。本文中的术语“渐变的”具有在介质表面的径向上的故意的变化的上下文意义。

热辅助磁记录(HAMR)是计划为在将来的硬盘驱动器中实现的新记录技术。该技术是基于：加热介质以降低其有效矫顽性，以及记录介质在所施加的磁场中冷却的时候的信息。在记录过程中，加热和冷却的速度是关键的。此速率由记录磁头的线速度和介质的热学时间常数所控制。

设计介质层堆叠使得在记录层下面直接存在一热敏电阻器层。通过调谐此层的性质(使用厚度、成分和/或多层)，介质的热学时间常数可匹配记录磁头的要求。此方法的结果是介质的线速度在介质的行程(stroke)上不是常数。例如，由于切线速度，在15mm的近ID半径处，线速度将是30mm的近OD半径的线速度的一半。这意味着介质的热学时间常数不能在介质表面的全部行程上匹配。

径向相关热学阻热器层使用渐变的热敏电阻器层，其中，上下文的“渐变的”意味着介质表面的径向上故意的变化。使用triatron或其他专用的溅射源，有可能在盘的半径上设计厚度和/或成分梯度。通过将热敏电阻器性质设计为盘上径向位置的函数，介质热学时间常数分布可针对线速度分布来匹配。这进而将转化为HAMR记录系统的改善的稳健性。

图1示出一个实施例的径向相关热学阻热器层的概览的框图。图1示出径向相关热学阻热器层和散热层100。径向相关热学阻热器层和散热层包括在设备的半径上的至少两个相反的梯度层。径向相关热学阻热器层和散热层100包括渐变的热敏电阻器层和散热层，其中，上下文的“渐变的”意味着在介质表面的径向上的故意的变化110。

使用利用专用的溅射源在盘的半径上的渐变的热敏电阻器层和散热层中的厚度和/或成分梯度结构120来创建在介质表面的径向上的故意的变化。梯度结构中的故意的变化包括配置为包括厚度范围的至少两个相反的梯度层，根据热学情况和模拟，该厚度范围被配置为线性的、抛物线的、多项式的或其他适应性的形式130。一个实施例的该梯度结构包括具有性质的热学阻热器层和散热层，该性质被预定为盘上的径向位置的函数，其中，该介质热学时间常数分布可针对线速度分布来匹配，这创建了HAMR记录系统的稳健度140。

详细描述：

图2示出一个实施例的厚度梯度散热层的概览流程图的框图。图2示出基底200，其中，该基底200是圆形的并且包括内径ID 210和外径OD 220。该基底200可包括使用包括石英、硅树脂和其他材料的材料。具有恒定厚度的连续散热层230沉积在基底200上。一个实施例的连续散热层230可包括使用具有预定的热导率性质的材料。