[发明专利]具有增强电容的金属-氧化物-金属(MOM)电容器

权利要求书

1.一种金属-氧化物-金属(MOM)电容器器件，包括：

耦合至基板的导电栅极材料；

耦合至所述导电栅极材料的第一金属结构；以及

耦合至所述基板并且邻近所述第一金属结构的第二金属结构，

其中所述第二金属结构包括触点金属，其中所述触点金属包括至少一种不与所述导电栅极材料相同的材料，且其中所述第二金属结构藉由通孔结构耦合至较高金属结构。

2.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，进一步包括将所述导电栅极材料耦合至所述基板的栅极电介质层。

3.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，所述导电栅极材料耦合至所述基板的浅沟槽隔离(STI)部分。

4.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，所述导电栅极材料耦合至所述基板的硅部分。

5.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，当包括所述导电栅极材料和所述第一金属结构的第一电极由第一电压偏置并且包括所述第二金属结构的第二电极由第二电压偏置时，所述第一电极与所述第二电极之间的总电容包括所述导电栅极材料与所述触点金属之间的电容。

6.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，所述导电栅极材料与所述触点金属之间的栅极到触点间距为设计规则所允许的最小值。

7.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，所述导电栅极材料与所述触点金属之间的栅极到触点间距小于两个毗邻触点金属之间的触点到触点间距并且小于两个毗邻导电栅极材料之间的栅极到栅极间距。

8.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，所述导电栅极材料、所述第一金属结构和所述第二金属结构被集成在至少一个半导体管芯中。

9.如权利要求1所述的MOM电容器器件，其特征在于，其中所述导电栅极材料、所述第一金属结构和所述第二金属结构被集成到机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、计算机、或其组合中。

10.一种形成金属-氧化物-金属(MOM)电容器器件的方法，所述方法包括：

形成第一电极，其中所述第一电极包括耦合至基板的导电栅极材料；以及

形成耦合至所述基板并且邻近所述第一电极的第二电极，其中所述第二电极包括金属结构，所述金属结构包括触点金属，并且其中所述触点金属包括至少一种不与所述导电栅极材料相同的材料；以及

形成将所述金属结构耦合至较高金属结构的通孔结构。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述导电栅极材料与所述触点金属之间的栅极到触点间距为设计规则所允许的最小值。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述导电栅极材料与所述触点金属之间的栅极到触点间距小于两个毗邻触点金属之间的触点到触点间距且小于两个毗邻导电栅极材料之间的栅极到栅极间距。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述第一电极和形成所述第二电极是由集成到电子设备中的处理器发起的。