[发明专利]垂直堆叠的图像传感器有效
申请号: | 201480011066.9 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN105009291B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 范晓峰 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/78;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管阵列芯片 光电二极管芯片 图像传感器 垂直堆叠 传输门 光电二极管 逻辑芯片 源极跟随器 传送数据 存储节点 控制电路 顶表面 复位门 行选择 堆叠 垂直 激活 | ||
1.一种用于电子设备的图像传感器,包括:
光电二极管芯片,所述光电二极管芯片包括:
用于接收光的至少一个光电二极管;以及
传输门,所述传输门从所述光电二极管芯片的顶表面垂直延伸;
晶体管阵列芯片,所述晶体管阵列芯片与所述光电二极管芯片进行通信并垂直堆叠于所述光电二极管芯片上,所述晶体管阵列芯片包括:
浮置扩散节点,所述浮置扩散节点与所述至少一个光电二极管进行通信:
复位门,所述复位门与所述至少一个光电二极管进行通信;
源极跟随器门,所述源极跟随器门与所述浮置扩散节点进行通信;和
行选择门,所述行选择门与所述源极跟随器门和所述浮置扩散节点进行通信;和
逻辑芯片,所述逻辑芯片可操作地垂直堆叠于所述晶体管阵列芯片上并与其进行通信;其中
所述传输门从所述至少一个光电二极管向所述晶体管阵列芯片传送数据并连接到所述晶体管阵列芯片;
所述传输门包括:
半导体传输沟道;
氧化物层,所述氧化物层围绕所述半导体传输沟道的外周边表面;
多晶硅层,所述多晶硅层至少部分地围绕所述氧化物层的外周边表面;和
金属层,所述金属层与所述半导体传输沟道和所述氧化物层进行通信;
所述金属层将所述传输门可通信地连接到所述晶体管阵列芯片;以及
所述逻辑芯片选择性地激活所述传输门、所述复位门、所述源极跟随器门和所述行选择门。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述传输门从所述光电二极管芯片的所述顶表面延伸到所述晶体管阵列芯片的底表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述半导体传输沟道为圆柱形的并且为硅。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电二极管芯片进一步包括存储传输门和存储节点。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电二极管芯片进一步包括抗晕光门。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括延伸穿过所述晶体管阵列芯片的至少一部分和所述逻辑芯片的一部分的至少一个硅通孔。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述光电二极管芯片和所述晶体管阵列芯片垂直堆叠,使得所述光电二极管芯片的顶表面面向所述晶体管阵列芯片的底表面。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述传输门包括第一触点,并且所述晶体管阵列芯片包括第二触点,其中所述传输门的所述第一触点向所述晶体管阵列芯片的所述第二触点传输数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的