[发明专利]电平移位电路有效
申请号: | 201480011179.9 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN105144584B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 木原诚一郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,杨艺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 移位 电路 | ||
1.一种电平移位电路,其特征在于,包括:
第一电流控制元件,与输入信号反相的反相输入信号输入所述第一电流控制元件的控制端子,利用该控制端子的电压控制在所述第一电流控制元件的第一端子和所述第一电流控制元件的第二端子间流动的电流量;
第二电流控制元件,所述输入信号或者与所述输入信号同相的同相输入信号输入所述第二电流控制元件的控制端子,利用该控制端子的电压控制在所述第二电流控制元件的第一端子和所述第二电流控制元件的第二端子间流动的电流量;
第一负载电路,该第一负载电路的一端与高压侧电源端子连接,该第一负载电路的另一端与所述第一电流控制元件的所述第一端子连接,该第一负载电路产生与在两端子间流动的电流量相应的电压降;
第二负载电路,该第二负载电路的一端与所述高压侧电源端子连接,该第二负载电路的另一端与所述第二电流控制元件的所述第一端子连接,该第二负载电路产生与在两端子间流动的电流量相应的电压降;
电流产生电路,该电流产生电路的第一电流输出端子与所述第一电流控制元件的所述第二端子连接,该电流产生电路的第二电流输出端子与所述第二电流控制元件的所述第二端子连接,该电流产生电路分别产生分别流入所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件的电流;
比较器,该比较器的一对差分输入端子中的一个与所述第一电流控制元件的所述第一端子连接,所述一对差分输入端子中的另一个与所述第二电流控制元件的所述第一端子连接,该比较器从所述高压侧电源端子被供给电源电压,从高压侧基准端子被供给基准电压,根据所述一对差分输入端子间的电压差产生输出信号;和
电压抑制电路,该电压抑制电路与所述第一电流输出端子和所述第二电流输出端子分别连接或者与所述第一电流输出端子和所述第二电流输出端子一并连接,抑制所述第一电流输出端子和所述第二电流输出端子各自的电压上升。
2.如权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于:
所述电压抑制电路由2端子电路构成,所述2端子电路的一端与所述第一电流输出端子和所述第二电流输出端子分别连接或者与所述第一电流输出端子和所述第二电流输出端子一并连接,所述2端子电路的另一端与规定的固定电位连接,
所述电压抑制电路具有第一电路结构和第二电路结构中的至少任一个电路结构,其中,所述第一电路结构为在所述2端子电路的一端与另一端之间设置有当端子间电压超过规定的电压时成为导通状态的2端子开关元件或2端子开关电路的电路结构,第二电路结构为电容比所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件的所述第一端子与所述第二端子间的各端子间电容大的电容元件与所述2端子电路的一端连接的电路结构。
3.如权利要求1或者2所述的电平移位电路,其特征在于:
所述电压抑制电路包括下述电路中的至少一个:由单个齐纳二极管或者多个齐纳二极管的串联电路构成的电路;由单个二极管或者多个二极管的串联电路构成的电路;由二极管与电压源的串联电路构成的电路;由电容比所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件的所述第一端子与所述第二端子间的各端子间电容大的电压抑制用的电容元件构成的电路;由所述电压抑制用的电容元件与电阻元件的串联电路构成的电路;和由二极管与电阻元件的并联电路和所述电压抑制用的电容元件的串联电路构成的电路。
4.如权利要求1或者2所述的电平移位电路,其特征在于:
具有从外部接收电路动作用的电源电压的电路电源端子,
在所述电路电源端子与所述高压侧电源端子间设置有二极管,
在所述高压侧电源端子与所述高压侧基准端子间设置有电容元件,
所述高压侧基准端子与被所述输出信号驱动的高电压电路的输出端子电连接。
5.如权利要求1或者2所述的电平移位电路,其特征在于:
所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件分别由高耐压MOSFET构成,所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件的所述控制端子是所述MOSFET的栅极,所述第一电流控制元件和所述第二电流控制元件的所述第一端子和所述第二端子是所述MOSFET的漏极和源极。
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