[发明专利]金属氧化物TFT稳定性改进在审
| 申请号： | 201480011180.1 | 申请日： | 2014-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105144391A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 元泰景;崔寿永;任东吉;朴范洙 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 tft 稳定性 改进 | ||
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
基板；
金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层形成在所述基板表面的一部分上；
沟道接合面层，所述沟道接合面层包含氟氧化硅(SiOF)，与所述金属氧化物薄膜晶体管层接触，其中所述沟道接合面层包含小于1原子百分比的氢；以及
含硅的覆盖层，所述覆盖层形成在所述沟道接合面层上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖层包含氮化硅或氧化硅。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖层包含氮化硅，并且包含小于16原子百分比的氢。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板包括透明基板。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道接合面层包含多于一个的层，并且其中所述沟道接合面的至少一层包含SiOF。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道接合面层和所述覆盖层中的每者介于到之间。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖层包括了二层或更多层。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层进一步沉积在SiOF所构成的栅极电介质层上。
9.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：
将基板置于处理腔室中；
将金属氧化物半导体层沉积在所述基板表面的一部分上，所述金属氧化物薄膜晶体管层包含有氧化锌；
激活含SiF4的沉积气体，从而形成被激活的沉积气体；
将所述被激活的沉积气体递送至所述基板上，从而将含SiOF的沟道接合面层沉积在所述金属氧化物半导体层上，其中所述沟道接合面层包含小于1原子百分比的氢；以及
将覆盖层沉积在所述沟道接合面层和所述金属氧化物半导体层上。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述沟道接合面层在小于250℃的温度下沉积。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆盖层是使用包含SiH4、O2、N2O或其组合的沉积气体混合物进行沉积。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆盖层是使用包含SiH4、SiF4、NH3、N2、H2或其组合的沉积气体混合物进行沉积。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述沟道接合面层包含小于1原子百分比的氢。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包含氮化硅或氧化硅。
15.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包括：在所述基板上沉积包含SiOF的栅极电介质层。
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