[发明专利]电感性负载驱动器转换速率控制器有效

专利信息
申请号: 201480011197.7 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN105027443B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 巴尔特·德耶特;尼古拉斯·富雷尔 申请(专利权)人: 密克罗奇普技术公司
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 感性 负载 驱动器 转换 速率 控制器
【权利要求书】:

1.一种用于驱动第一负载开关的集成电路,其中所述第一负载开关供电给电流负载,所述集成电路包括:

第一数字转换速率控制单元,其用于产生控制信号,其中所述第一数字转换速率控制单元基于第一输入信号和指示所述电流负载上的电压变化率的反馈信号而接收所述第一输入信号和产生第一控制信号;及

第一负载驱动器电路,其由所述第一控制信号和所述第一输入信号操作,其中所述第一负载驱动器电路包括接收所述第一控制信号的大低阻抗驱动器和接收所述第一输入信号的小电流限制驱动器,其中所述大低阻抗驱动器的输出与所述小电流限制驱动器的输出耦合以产生用于操作所述第一负载开关的转换速率控制第一输出电压。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一负载开关为MOSFET。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述小电流限制驱动器在所述第一负载开关的状态转变期间产生恒定输出,此时所述大低阻抗驱动器停用且其中基于完成的状态转变,所述大低阻抗驱动器被启用。

4.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:

第二数字转换速率控制单元,其用于产生控制信号,其中所述第二数字转换速率控制单元基于指示所述电流负载上的所述电压变化率的所述反馈信号而接收第二输入信号和产生第二控制信号;

第二负载驱动器电路,其由所述第二控制信号和所述第二输入信号操作,其中所述第二负载驱动器电路包括接收所述第二控制信号的大低阻抗驱动器和接收所述第二输入信号的小电流限制驱动器,其中所述大低阻抗驱动器的输出与所述小电流限制驱动器的输出耦合以产生操作与所述第一负载开关串联耦合的第二负载开关的转换速率控制第二输出电压。

5.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一数字转换速率控制单元和/或第二数字转换速率控制单元包括:

电容器,其接收所述反馈信号;及

电阻器,其与所述电容器耦合,界定转换速率。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中所述第一数字转换速率控制单元和/或第二数字转换速率控制单元进一步包括:

与非门,其具有接收所述反馈信号的第一输入端及接收第一输入电压信号或第二输入电压信号的第二输入端,其中所述与非门的输出控制所述第一负载驱动器电路或第二负载驱动器电路的p-沟道场效晶体管;及

或非门,其具有接收所述反馈信号的第一输入端及接收所述第一输入电压信号或所述第二输入电压信号的第二输入端,其中所述或非门的输出控制所述第一负载驱动器电路的n-沟道场效晶体管。

7.一种电路布置,其包括如权利要求1所述的集成电路,所述电路布置进一步包括接收所述转换速率控制第一输出电压的MOSFET,其中所述MOSFET形成所述第一负载开关。

8.一种电路布置,其包括如权利要求1所述的集成电路,所述电路布置进一步包括与地耦合且接收所述转换速率控制第一输出电压的低侧MOSFET,及与供应电压耦合且与所述低侧MOSFET串联的高侧MOSFET,其中所述低侧MOSFET形成所述第一负载开关。

9.一种电路布置,其包括如权利要求3所述的集成电路,所述电路布置进一步包括与地耦合的低侧MOSFET和与供应电压耦合且与所述低侧MOSFET串联的高侧MOSFET,所述低侧MOSFET和所述高侧MOSFET分别接收所述转换速率控制第一输出电压和转换速率控制第二输出电压,其中所述低侧MOSFET和所述高侧MOSFET分别形成所述第一负载开关和第二负载开关。

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