[发明专利]侧壁式存储器单元

权利要求书

1.一种用于电阻性存储器的单元，其包括：

底电极；

顶电极层，其界定侧壁；及

电解质层，其布置于所述底电极与所述顶电极层之间，以及布置于所述底电极与所述电解质层之间的掩膜层，使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧壁之间界定导电路径；且

其中所述底电极相对于水平衬底大致水平延伸，且所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸，其中所述顶电极侧壁界定围绕所述底电极的外部周边延伸的环形形状。

2.根据权利要求1所述的单元，其中所述顶电极层包括在所述底电极上方且平行于所述底电极延伸的覆盖部分。

3.根据权利要求1所述的单元，其中所述电解质层包括相对于所述水平衬底非水平延伸的侧壁，且其中通过所述电解质层侧壁界定所述导电路径。

4.根据权利要求3所述的单元，其中所述电解质层侧壁平行于所述顶电极侧壁延伸。

5.根据权利要求4所述的单元，其中所述电解质层侧壁界定在所述顶电极层内部径向延伸的环。

6.根据权利要求1所述的单元，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在30度与90度之间但不包含30度与90度。

7.根据权利要求1所述的单元，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在60度与90度之间但不包含60度与90度。

8.根据权利要求1所述的单元，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在45度与85度之间但不包含45度与85度。

9.根据权利要求1所述的单元，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底垂直延伸。

10.根据权利要求1所述的单元，其中：

所述底电极形成于衬底层上且具有底电极层厚度，且

所述顶电极层与所述衬底层间隔开小于所述底电极厚度的距离。

11.根据权利要求1所述的单元，其中所述底电极具有平面圆形电极盘的形状。

12.根据权利要求1所述的单元，其中所述单元经配置使得当正偏置电压施加到所述单元时，导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的非垂直方向中增长。

13.根据权利要求1所述的单元，其中所述单元经配置使得当正偏置电压施加到所述单元时，导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间在大致水平方向上增长。

14.一种形成侧壁式电阻性存储器单元的方法，所述方法包括：

在水平延伸衬底上方沉积底电极层；

在所述底电极层上方形成掩模层；

图案化所述底电极层及所述掩模层以界定底电极及掩模区域；

沉积电解质层；

形成顶电极使得所述顶电极的侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸，其中所述电解质层布置于所述底电极与所述顶电极层侧壁之间；及

形成所述顶电极使得所述顶电极侧壁界定围绕所述底电极的外部周边延伸的环形形状。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述底电极具有平面圆形电极盘的形状。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在30度与90度之间但不包含30度与90度。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在60度与90度之间但不包含60度与90度。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底以一个角度延伸，所述角度在45度与85度之间但不包含45度与85度。

19.根据权利要求14所述的方法，其中所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底垂直延伸。

20.根据权利要求14所述的方法，其包括：

形成具有底电极层厚度的所述底电极，及

形成所述顶电极使得所述顶电极与所述水平延伸衬底间隔开小于所述底电极厚度的距离。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述顶电极层通过所述电解质层的一部分而与所述衬底层间隔开。

22.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括将正偏置电压施加到所述单元使得导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的非垂直方向中增长，或将正偏置电压施加到所述单元使得导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的大致水平方向中增长。